[发明专利]半导体发光装置、半导体发光系统和照明设备

权利要求书

1.一种半导体发光装置，其特征在于，其具备：

放出在380nm以上且430nm以下具有发光峰值的光的半导体发光元件、和

将所述半导体发光元件作为激发源而发光的荧光体，

所述半导体发光装置发出相关色温为1600K以上且小于2400K的光，

所述荧光体至少包含蓝色荧光体、绿色荧光体和红色荧光体，

在由该半导体发光装置发出的光的光谱中，由所述半导体发光元件发出的光的峰强度的值为小于所述荧光体发出的光的最大峰强度的60%的值，并且，最大峰位于600nm以上且660nm以下。

2.如权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，该半导体发光装置发出下述那样的光谱的光：由所述半导体发光元件发出的光的峰强度的值为所述荧光体发出的光的最大峰强度的5%以上的值。

3.如权利要求1或权利要求2所述的半导体发光装置，其特征在于，该半导体发光装置发出所述相关色温为1600K以上且小于2000K的光。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体发光装置，其特征在于，所述蓝色荧光体的发光峰值波长的半峰宽为30nm以上。

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体发光装置，其特征在于，所述蓝色荧光体为(Sr,Ba,Ca)₅(PO₄)₃Cl：Eu或BaMgAl₁₀O₁₇：Eu。

6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体发光装置，其特征在于，在CIE(1931)XYZ色度系统的XY色度图中，该半导体发光装置发出的光的色度坐标的与黑体辐射轨迹曲线的偏差duv的值为-0.02以上且0.02以下。

7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体发光装置，其特征在于，所述绿色荧光体为β赛隆、(Ba,Sr)₃Si₆O₁₂N₂：Eu或(Sr,Ba)₂SiO₄：Eu。

8.如权利要求1～7中任一项所述的半导体发光装置，其特征在于，所述红色荧光体包含(CaAlSiN₃)_1-x(Si₂N₂O)_x：Eu，x为0<x<0.5。

9.如权利要求1～8中任一项所述的半导体发光装置，其特征在于，所述红色荧光体包含K₂SiF₆：Mn。

10.如权利要求1～8中任一项所述的半导体发光装置，其特征在于，所述红色荧光体包含A_2+xM_yMn_zF_n，A为Na和K之中的一者或两者，M为Si和Al，并且，-1≦x≦1、且0.9≦y+z≦1.1、且0.001≦z≦0.4、且5≦n≦7成立。

11.如权利要求1～10中任一项所述的半导体发光装置，其特征在于，所述荧光体使由所述半导体发光元件发出的光以预定的透过率透过，并放出到该半导体发光装置的外部。

12.如权利要求1～11中任一项所述的半导体发光装置，其特征在于，

所述半导体发光装置具备保持所述荧光体的保持部件，

所述保持部件在其按颜色设定的预定区域分别保持各色的所述荧光体，从而形成荧光体层，在所述荧光体层，按颜色来保持所述荧光体的区域被并排设置，

所述荧光体层以与所述半导体发光元件之间的距离为0.1mm以上且500mm以下的方式被支持。

13.一种半导体发光系统，其特征在于，

具备权利要求1～12中任一项所述的半导体发光装置作为第1半导体发光装置，

具备发出与所述第1半导体发光装置发出的光的相关色温不同的光的半导体发光装置作为第2半导体发光装置。

14.如权利要求13所述的半导体发光系统，其特征在于，所述第1半导体发光装置的一般显色指数Ra的值为86以上，并且所述第2半导体发光装置的一般显色指数Ra的值为86以上。

15.一种照明设备，其特征在于，其具备权利要求1～12中任一项所述的半导体发光装置。