[发明专利]正电子放射断层摄影系统、重构装置及距离比决定方法

权利要求书

1.一种正电子放射断层摄影系统，决定距离比，该距离比用于计算在正电子放射断层摄影系统的重构空间内由2个结晶规定的符合计数管与体素之间的几何概率，该正电子放射断层摄影系统具备：

决定部，在所述正电子放射断层摄影系统的X-Y平面内，决定将所述2个结晶各自的左端点连结的第一边缘线、将所述2个结晶各自的右端点连结的第二边缘线、及与所述符合计数管有关的基准线；

投影部，在所述X-Y平面内，将所述体素的第一面的第一中心点投影到所述基准线上来规定第一投影点，将所述体素的第二面的第二中心点投影到所述基准线上来规定第二投影点；

计算部，计算包含所述第一边缘线在内的直线与所述基准线之间的交点及包含所述第二边缘线在内的直线与所述基准线之间的交点中的某一方的交点与所述第一投影点之间的第一距离、以及所述一方的交点与所述第二投影点之间的第二距离；以及

距离比决定部，基于所述第一距离及所述第二距离，决定所述X-Y平面内的第一距离比。

2.如权利要求1所述的正电子放射断层摄影系统，

所述决定部规定位于所述2个结晶各自的左端点的中间的第一中间点和位于所述2个结晶各自的右端点的中间的第二中间点，将通过所述第一中间点及所述第二中间点的中间线决定为所述基准线，

所述计算部，计算所述第一中间点及所述第二中间点中的某一方的中间点与所述第一投影点之间的距离，作为所述第一距离，并且计算所述一方的中间点与所述第二投影点之间的距离，作为所述第二距离。

3.如权利要求1或2所述的正电子放射断层摄影系统，

所述投影部在所述X-Y平面内，将所述第一中心点沿着所述第一边缘线的方向投影到所述基准线上来规定所述第一投影点，将所述第二中心点沿着所述第二边缘线的方向投影到所述基准线上来规定所述第二投影点。

4.如权利要求1或2所述的正电子放射断层摄影系统，

所述决定部还决定用于规定符合计数线的所述2个结晶各自的中心。

5.如权利要求1或2所述的正电子放射断层摄影系统，

所述决定部还基于所述X-Y平面中的所述符合计数线与正X轴之间的角度，决定所述体素的所述第一面的所述第一中心点及所述体素的所述第二面的所述第二中心点。

6.如权利要求1或2所述的正电子放射断层摄影系统，

所述决定部还决定在所述正电子放射断层摄影系统的Y-Z平面内或X-Z平面内将所述2个结晶各自的前端点连结的第三边缘线、在所述Y-Z平面内或所述X-Z平面内将所述2个结晶各自的后端点连结的第四边缘线、以及在所述Y-Z平面内或所述X-Z平面内与Z轴平行并且通过位于所述第三边缘线上的第一z线点及位于所述第四边缘线上的第二z线点的z线，

所述投影部还在所述Y-Z平面内或所述X-Z平面内将所述体素的第三面的第三中心点沿着所述第三边缘线的方向投影到所述z线上来规定第三投影点，还将所述体素的第四面的第四中心点沿着所述第四边缘线的方向投影到所述z线上来规定第四投影点，

所述计算部还计算所述第一z线点及所述第二z线点中的某一方的z线点与所述第三投影点之间的第三距离、以及所述一方的z线点与所述第四投影点之间的第四距离，

所述距离比决定部基于所述第三距离及所述第四距离，在所述Y-Z平面内或X-Z平面内决定第二距离比。

7.如权利要求1或2所述的正电子放射断层摄影系统，

还具备交叉体积计算部，所述交叉体积计算部通过将所述第一距离比和所述第二距离比相乘，计算交叉体积。

8.如权利要求1或2所述的正电子放射断层摄影系统，

所述体素的所述第三面及所述体素的所述第四面位于所述体素的相对侧。

9.如权利要求1或2所述的正电子放射断层摄影系统，

所述体素的所述第一面及所述体素的所述第二面位于所述体素的相对侧。