[发明专利]绝缘栅开关元件的驱动电路有效
申请号: | 201280001978.9 | 申请日: | 2012-04-06 |
公开(公告)号: | CN103004092B | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | 高际和美 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H03K17/16 | 分类号: | H03K17/16;H02M1/08;H03K17/687 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张鑫 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘 开关 元件 驱动 电路 | ||
1.一种绝缘栅开关元件的驱动电路,包括:
生成恒定电流的恒流源;
开关电路,所述开关电路在将所述绝缘栅开关元件导通时经由所述恒流源将所述绝缘栅开关元件的栅极连接至电源电位侧,且在将所述绝缘栅开关元件截止时经由放电电路将所述绝缘栅开关元件的栅极连接至基准电位侧;
检测所述绝缘栅开关元件的栅电压的栅电压检测电路;以及
电流模式选择电路,所述电流模式选择电路在基于由所述栅电压检测电路检测到的栅电压检测到所述绝缘栅开关元件被导通时,将所述恒流源的模式从正常电流模式转换为低电流消耗模式。
2.如权利要求1所述的绝缘栅开关元件的驱动电路,其特征在于,
所述恒流源具有:
第一晶体管,所述第一晶体管的漏极侧连接至电阻器;
第二晶体管,所述第二晶体管与所述第一晶体管一起构成电流镜并生成由所述电阻器的端电压和基准电压限定的恒定电流;以及
第三晶体管,第三晶体管是连接至所述第二晶体管的电流镜且其漏极连接至所述绝缘栅开关元件的栅极。
3.如权利要求1所述的绝缘栅开关元件的驱动电路,其特征在于,
所述恒流源具有:
第一晶体管,所述第一晶体管的漏极侧连接至电阻器;
第四晶体管,所述第四晶体管连接在所述第一晶体管和所述电阻器之间并生成由所述电阻器的端电压和基准电源限定的恒定电流;以及
第三晶体管,所述第三晶体管与所述第一晶体管一起构成电流镜且其漏极连接至所述绝缘栅开关元件的栅极。
4.如权利要求1-3中任一个所述的绝缘栅开关元件的驱动电路,其特征在于,当由所述栅电压检测电路检测到的栅电压小于预定值时所述电流模式选择电路将所述基准电压设置为正常电压,且当由所述栅电压检测电路检测到的栅电压大于或等于所述预定值时所述电流模式选择电路将所述基准电压设置为小于所述正常电压的低消耗模式电压。
5.如权利要求1-3中任一个所述的绝缘栅开关元件的驱动电路,其特征在于,所述电流模式选择电路具有分压电阻器,所述分压电阻器具有连接在正电源和接地之间的电源侧电阻器和接地侧电阻器,当由所述栅电压检测电路检测到的栅电压小于预定值时所述电流模式选择电路将接地侧分压电阻值设置为正常值,且当由所述栅电压检测电路检测到的栅电压大于或等于所述预定值时所述电流模式选择电路将所述接地侧分压电阻值设置为小于所述正常值的低消耗模式电阻值。
6.如权利要求1-3中任一个所述的绝缘栅开关元件的驱动电路,其特征在于,所述栅电压检测电路根据所述绝缘栅开关元件的所述栅电压输出不同电平的信号依据的阈值被设置为7V到14.5V,其为所述绝缘栅开关元件的栅电压。
7.如权利要求6所述的绝缘栅开关元件的驱动电路,其特征在于,当所述绝缘栅开关元件的栅电压超过了所述阈值时,所述栅电压检测电路将所述恒流源的电流值减少为1/20到1/2。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社,未经富士电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280001978.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。