[发明专利]氮化物系半导体元件及其制造方法无效
申请号: | 201280002602.X | 申请日: | 2012-04-02 |
公开(公告)号: | CN103283043A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 横川俊哉;安杖尚美;井上彰;加藤亮 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L21/20;H01L21/28 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化物 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种氮化物系半导体元件,具备:生长面为m面的p型接触层、和在所述p型接触层的所述生长面上所设置的电极,其中,
所述p型接触层具有26nm以上、60nm以下的厚度,且是含有所述p型接触层的Mg浓度以上之浓度的氧的GaN系半导体层。
2.根据权利要求1所述的氮化物系半导体元件,其中,
所述p型接触层为AlxGayInzN(x+y+z=1、x≥0、y>0、z≥0)半导体层。
3.根据权利要求1或2所述的氮化物系半导体元件,其中,
所述p型接触层具有30nm以上、45nm以下的厚度。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的氮化物系半导体元件,其中,所述p型接触层含有4×1019cm-3以上、2×1020cm-3以下的Mg。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的氮化物系半导体元件,其中,所述p型接触层含有4×1019cm-3以上、1×1020cm-3以下的Mg。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的氮化物系半导体元件,其中,所述p型接触层含有4×1020cm-3以下的氧。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的氮化物系半导体元件,其中,
所述电极具备与所述p型接触层接触的第一层,
所述第一层含有Mg、Zn和Ag的至少一种。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的氮化物系半导体元件,其中,
所述电极具备与所述p型接触层接触的第一层,
所述第一层是Mg层、Zn层或Ag层。
9.根据权利要求1至6中任一项所述的氮化物系半导体元件,其中,
所述电极具备与所述p型接触层接触的第一层,
所述第一层是含有Mg、Zn和Ag的至少两种的合金层。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的氮化物系半导体元件,其中,
所述电极含有:形成于所述第一层上的合金层,
所述合金层由含有Ag、Pt、Mo和Pd的至少一种与Mg的合金构成。
11.根据权利要求7至10中任一项所述的氮化物系半导体元件,其中,
所述电极具备:设于所述第一层上或所述合金层上的金属层。
12.根据权利要求11所述的氮化物系半导体元件,其中,
所述金属层由从Ag、Pt、Mo和Pd所构成的群中选择的至少一种金属形成。
13.根据权利要求7至12中任一项所述的氮化物系半导体元件,其中,
所述第一层由一层膜构成。
14.根据权利要求7至12中任一项所述的氮化物系半导体元件,其中,
所述第一层由岛状分离的多个部分构成。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的氮化物系半导体元件,其中,
具备所述p型接触层以外的p型半导体区域,所述p型半导体区域的厚度为100nm以上、500nm以下,且含有1×1018cm-3以上、1×1019cm-3以下的Mg。
16.一种光源,其中,具备:
权利要求1至15中任一项所述的氮化物系半导体元件;含有对于从所述氮化物系半导体元件放射的光的波长进行转换的荧光物质的波长转换部。
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