[发明专利]氮化物类半导体发光元件

权利要求书

1.一种氮化物类半导体发光元件，其具有光取出面，该氮化物类半导体发光元件的特征在于，包括：

半导体层叠结构，其包括主面是半极性面或者非极性面的由氮化物半导体形成的活性层；

电极，其将从所述活性层发射的光的至少一部分在所述光取出面的方向反射；

双折射性基板，其配置于所述光取出面与所述电极之间，使从所述活性层发射的光和被所述电极反射的光透过；和

凹凸面，其位于所述活性层与所述电极之间，

在设所述基板的双折射率为Δn、所述基板的厚度为d、发光波长为λ、a为自然数的情况下，满足以下的关系，

90·(2·a-1)-45≤Δn·d·360λ≤90·(2·a-1)+45]]>

设所述凹部或者凸部的各个侧面与所述活性层的主面的法线所成的角度为θ1时，θ1为10度以上58度以下。

2.如权利要求1所述的氮化物类半导体发光元件，其特征在于：

所述凹凸面形成于所述半导体层叠结构的主面。

3.如权利要求1或者2所述的氮化物类半导体发光元件，其特征在于：

构成所述半导体层叠结构的所述凹凸面的凹部到达所述活性层。

4.如权利要求1～3中任一项所述的氮化物类半导体发光元件，其特征在于：

所述凹凸面形成于所述双折射性基板。

5.如权利要求1～4中任一项所述的氮化物类半导体发光元件，其特征在于：

所述活性层出射电场强度在与主面平行的方向偏振了的光。

6.如权利要求1～5中任一项所述的氮化物类半导体发光元件，其特征在于：

所述双折射性基板包括主面是半极性面或者非极性面的由氮化物半导体形成的部分。

7.如权利要求6所述的氮化物类半导体发光元件，其特征在于：

所述双折射性基板的光学轴相对于所述基板的主面倾斜不包括0度和90度的角度。

8.如权利要求6或者7所述的氮化物类半导体发光元件，其特征在于：

所述双折射性基板是以下基板中的一种：

主面是m面的由GaN形成的基板、

主面是a面的由GaN形成的基板、

主面是-r面的由GaN形成的基板、

主面是a面的在表面具有GaN层的r面蓝宝石基板、

主面是m面的在表面具有GaN层的m面蓝宝石基板、

主面是m面的在表面具有GaN层的a面蓝宝石基板、以及

主面是m面的在表面具有GaN层的m面SiC基板。

9.如权利要求6或者7所述的氮化物类半导体发光元件，其特征在于：

所述双折射性基板是主面为m面的GaN基板。

10.如权利要求1～9中任一项所述的氮化物类半导体发光元件，其特征在于：

从所述活性层的主面的法线方向看构成所述凹凸面的各个凹部或者凸部时的形状是圆形、四边形或者它们的组合，

构成所述凹凸面的凹部或者凸部分别二维地配置于所述半导体层叠结构的主面或者所述双折射性基板的背面的面内。