[发明专利]附带贯通电极的基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及附带贯通电极的基板及其制造方法

背景技术

以往，作为制造附带贯通电极的基板的方法，例如已知有专利文献1所记载的技术。

在该专利文献1中，记载有由玻璃材料构成的平面基板（附带贯通电极的基板）的制造方法。具体而言，由玻璃材料构成的平面基板如下述地制造。首先，在平坦的硅基板的表面形成凹坑，将硅基板的形成有凹坑的面重合在平坦的玻璃基板上。然后，对玻璃基板加热，由此将玻璃基板的一部分埋入到该凹坑中。之后，使玻璃基板再固化，对平面基板的表面和背面进行研磨，除去硅。

现有技术文献（专利文献）

专利文献1：日本专利第4480939号公报

发明内容

发明要解决的课题

然而，在上述现有技术中，由于对玻璃基板加热来使之熔融从而将玻璃基板的一部分埋入到该凹坑中，因此有可能热应力起作用从而对器件特性带来影响。

因此，本发明的目的在于，获得能够极力抑制对器件特性带来的影响的附带贯通电极的基板及其制造方法。

用于解决课题的手段

本发明的附带贯通电极的基板的制造方法的特征在于，包括：在硅基板及玻璃基板中的任一方的基板上形成凹部或贯通孔的工序；在另一方的基板上形成凸部的工序；以达到所述凸部插入到所述凹部或贯通孔的状态的方式使所述硅基板和所述玻璃基板重合的工序；以及将所述硅基板和所述玻璃基板接合的工序。

另外，也可以还包括：在接合有所述硅基板和所述玻璃基板的接合基板的至少单面上，使所述玻璃基板及所述硅基板露出的工序。

另外，也可以在形成有所述凸部的基板以避免形成空隙的方式覆盖所述凹部或贯通孔的开口的状态下进行所述硅基板与所述玻璃基板的接合。

另外，也可以在所述凸部与所述凹部或所述凸部与所述贯通孔之间形成有间隙。

另外，本发明的附带贯通电极的基板的特征在于，在玻璃基板的内部形成有贯通电极，在所述贯通电极与所述玻璃基板之间形成有间隙。

发明的效果

根据本发明，能够提供能够抑制热应力带来的影响的附带贯通电极的基板及其制造方法。

附图说明

图1是表示本发明的第一实施方式涉及的半导体装置的图，（a）是表示封装盖的结构的立体图，（b）是表示除了封装盖以外的结构的立体图。

图2是表示本发明的第一实施方式涉及的加速度传感器芯片的概略结构的分解立体图。

图3是表示本发明的第一实施方式涉及的加速度传感器芯片的概略结构的剖视图。

图4（a）～图4（c）是示意性地表示本发明的第一实施方式涉及的玻璃基板的制造方法的剖视图。

图5（a）～图5（c）是示意性地表示本发明的第一实施方式涉及的硅基板的制造方法的剖视图。

图6（a）～图6（e）是示意性地表示本发明的第一实施方式涉及的附带贯通电极的基板的制造方法的剖视图。

图7（a）～图7（c）是示意性地表示本发明的第一实施方式的变形例涉及的硅基板的制造方法的剖视图。

图8（a）～图8（c）是示意性地表示本发明的第一实施方式的变形例涉及的玻璃基板的制造方法的剖视图。

图9（a）～图9（e）是示意性地表示本发明的第一实施方式的变形例涉及的附带贯通电极的基板的制造方法的剖视图。

图10是表示本发明的第2实施方式涉及的加速度传感器芯片的概略结构的剖视图。

图11（a）～图11（c）是示意性地表示本发明的第2实施方式涉及的玻璃基板的制造方法的剖视图。

图12（a）～图12（c）是示意性地表示本发明的第2实施方式涉及的硅基板的制造方法的剖视图。

图13（a）～图13（c）是示意性地表示本发明的第2实施方式涉及的附带贯通电极的基板的制造方法的剖视图。

图14（a）～图14（c）是示意性地表示本发明的第2实施方式的变形例涉及的玻璃基板的制造方法的剖视图。

图15（a）～图15（c）是示意性地表示本发明的第2实施方式的变形例涉及的硅基板的制造方法的剖视图。

图16（a）～图16（d）是示意性地表示本发明的第2实施方式的变形例涉及的附带贯通电极的基板的制造方法的剖视图。

图17是表示本发明的第3实施方式涉及的加速度传感器芯片的概略结构的剖视图。

图18（a）～图18（c）是示意性地表示本发明的第3实施方式涉及的玻璃基板的制造方法的剖视图。