[发明专利]DC耦合型激光驱动电路以及半导体激光元件的驱动方法有效
申请号: | 201280003107.0 | 申请日: | 2012-09-24 |
公开(公告)号: | CN103329366A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 久保达夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社藤仓 |
主分类号: | H01S5/042 | 分类号: | H01S5/042 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | dc 耦合 激光 驱动 电路 以及 半导体 元件 方法 | ||
1.一种DC耦合型激光驱动电路,其特征在于,具备:
前级驱动器,其对根据数字信号调制的电压信号的振幅进行调整;
主驱动器,其是将通过所述前级驱动器调整了振幅的电压信号转换为向半导体激光元件供给的电流信号的主驱动器,该主驱动器不经由电容器而与所述半导体激光元件连接;
压降量可变的压降器,其是被插入至向所述前级驱动器供给电力的电源和所述前级驱动器之间的压降器;
压降量控制部,其根据通过所述前级驱动器调整了振幅的电压信号的值来控制所述压降器的压降量。
2.根据权利要求1所述的DC耦合型激光驱动电路,其特征在于,
所述压降量控制部按照使通过所述前级驱动器调整了振幅的电压信号的值为预先规定的基准电压以下的方式来控制所述压降器的压降量。
3.根据权利要求2所述的DC耦合型激光驱动电路,其特征在于,
所述压降器具备源极端子与所述电源连接,漏极端子与所述前级驱动器连接的场效应晶体管,
所述压降量控制部具备运算放大器,该运算放大器是将所述前级驱动器的非反向输出和反向输出的平均电压作为非反向输出,将所述基准电压作为反向输出的运算放大器,该运算放大器的输出端子与所述场效应晶体管的栅极端子连接。
4.根据权利要求2所述的DC耦合型激光驱动电路,其特征在于,
所述压降器具备一端与所述电源连接,另一端与所述前级驱动器连接的电阻,
所述压降量控制部具备:运算放大器,其将所述前级驱动器的非反向输出和反向输出的平均电压作为非反向输出,将所述基准电压作为反向输出;场效应晶体管,其栅极端子连接所述运算放大器的输出端子,漏极端子与所述压降器和所述前级驱动器的中间点连接,源极端子接地。
5.根据权利要求1所述的DC耦合型激光驱动电路,其特征在于,
所述压降量控制部按照使通过所述前级驱动器调整了振幅的电压信号的值为所述半导体激光元件的偏置电压以下的方式来控制所述压降器的压降量。
6.根据权利要求5所述的DC耦合型激光驱动电路,其特征在于,
所述压降器具备一端与所述电源连接,另一端与所述前级驱动器连接的电阻,
所述压降量控制部具备:运算放大器,其将所述前级驱动器的非反向输出和反向输出的平均电压作为非反向输出,将所述半导体激光元件的偏置电压作为反向输出;场效应晶体管,其栅极端子连接所述运算放大器的输出端子,漏极端子与所述压降器和所述前级驱动器的中间点连接,源极端子接地。
7.根据权利要求5所述的DC耦合型激光驱动电路,其特征在于,
所述压降器具备源极端子与所述电源连接,漏极端子与所述前级驱动器连接的场效应晶体管,
所述压降量控制部具备运算放大器,该运算放大器是将所述前级驱动器的非反向输出和反向输出的平均电压作为非反向输入,将所述半导体激光元件的偏置电压作为反向输入的运算放大器,该运算放大器的输出端子与所述场效应晶体管的栅极端子连接。
8.根据权利要求5至7中任意一项所述的DC耦合型激光驱动电路,其特征在于,
所述半导体激光元件的偏置电压经由其他压降器被输入至所述压降量控制部。
9.一种半导体激光装置的驱动方法,其特征在于,包括:
调整工序,在该调整工序中使用前级驱动器对根据数字信号调制的电压信号的振幅进行调整;
转换工序,在该转换工序中使用不经由电容器而与半导体激光元件连接的主驱动器,来将在所述调整工序中调整了振幅的电压信号转换为向所述半导体激光元件供给的电流信号;
控制工序,在该控制工序中根据在所述调整工序中调整了振幅的电压信号的值,对被插入至向所述前级驱动器供给电力的电源和所述前级驱动器之间的压降器的压降量进行控制。
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