[发明专利]成膜方法和成膜装置

权利要求书

1.一种成膜方法，其为在对基体的表面进行清洁后在该基体的清洁面进行薄膜的成膜的方法，其特征在于，在该成膜方法中，通过向着基体保持单元的基体保持面的一部分区域照射能量粒子，使所述能量粒子仅与保持于所述基体保持面上并进行旋转的两个以上基体中的移动到了所述区域的特定基体组接触，由此来清洁所述基体的表面。

2.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，照射能量粒子，使得照射区域成为由按照不包含所述基体保持面的旋转中心的方式划定的闭合曲线所围起的区域。

3.如权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，伴随着基体保持单元的旋转，保持在基体保持面上的全部基体中的任意基板从到达所述区域到离开所述区域为止的时间设为t1，从离开所述区域到下次再到达所述区域为止的时间设为t2时，按照t1<t2的方式来确定所述区域的尺寸、配置和/或基体保持单元的旋转速度。

4.如权利要求3所述的成膜方法，其特征在于，基体保持单元的旋转速度为3rpm～100rpm。

5.如权利要求1～4的任意一项所述的成膜方法，其特征在于，通过向着所述基体保持面的一部分区域供给薄膜的成膜材料，将所述成膜材料仅供给至移动到了所述区域的特定基体组，由此将薄膜堆积在所述基体的清洁面上。

6.如权利要求5所述的成膜方法，其特征在于，供给成膜材料，使得供给区域成为由按照不包含所述基体保持面的旋转中心的方式划定的闭合曲线所围起的区域。

7.如权利要求5或6所述的成膜方法，其特征在于，在供给所述成膜材料的同时，通过向着所述基体保持面的一部分区域照射能量粒子将所述能量粒子仅连续照射至保持于所述基体保持面上并进行旋转的两个以上的基体中的移动到了所述区域的特定基体组从而提供辅助效果，并同时使所述薄膜堆积。

8.如权利要求1～7的任意一项所述的成膜方法，其特征在于，使用从离子源照射出的离子束作为能量粒子。

9.一种成膜装置，其为将具有用于保持两个以上基体的基体保持面的基体保持单元以能够绕着垂直轴旋转的方式配设在真空容器内的成膜装置，其特征在于，该成膜装置具有：

能量粒子照射单元，其以能量粒子能够向着所述基体保持面的一部分区域进行照射这样的构成、配置和/或朝向被设置在所述真空容器内；以及

成膜单元，其以能够向着下述区域供给成膜材料的构成被设置在所述真空容器内，所述区域为所述基体保持面的一部分且所述区域与基于所述能量粒子照射单元的能量粒子的照射区域的至少一部分重复。

10.如权利要求9所述的成膜装置，其特征在于，所述能量粒子照射单元以能够对所述基体保持面的全部区域的一半以下照射能量粒子的配置被配设在所述真空容器内。

11.如权利要求9或10所述的成膜装置，其特征在于，所述能量粒子照射单元由能照射出加速电压为50V～1500V的离子束的离子源构成。

12.如权利要求9～11的任意一项所述的成膜装置，其特征在于，所述成膜单元通过包含成膜源与限制单元来构成，所述成膜源以能够朝着所述基体保持面的全部区域的方向放出成膜材料的配置和朝向被设置在所述真空容器内，所述限制单元对由该成膜源放出的成膜材料的飞散方向进行限制；所述限制单元按照能够对所述基体保持面的全部区域的一半以下供给由所述成膜源放出的成膜材料的方式来进行设置。

13.如权利要求9～11的任意一项所述的成膜装置，其特征在于，所述成膜单元具有设置在所述真空容器内的成膜源，该成膜源按照能够对所述基体保持面的全部区域的一半以下供给所放出的成膜材料的方式从所述真空容器内下方的大致中央配置来向端侧靠近而进行配置。

14.如权利要求13所述的成膜装置，其特征在于，在所述成膜源的中心与所述基体保持单元的外缘的最远点的连线相对于沿着所述垂直轴延长的方向的基准线所成的角度为40度以上的位置配置所述成膜源。