[发明专利]发光元件和使用该发光元件的显示装置有效
申请号: | 201280003267.5 | 申请日: | 2012-06-01 |
公开(公告)号: | CN103582960B | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | 米田和弘 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本有机雷特显示器 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H05B33/12;H05B33/24 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 徐健;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 使用 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及有机EL(Electro Luminescence:电致发光)元件等发光元件和使用该发光元件的显示装置,尤其涉及发光元件的光学设计。
背景技术
近年来,有机EL元件等发光元件的开发不断进展。另外,作为使用该发光元件的显示装置,开发了排列有蓝色、绿色和红色的发光元件的显示装置。
关于发光元件,从降低功耗等观点来看,发光效率的提高是重要的。特别是,蓝色的发光元件的发光效率比绿色、红色的发光元件的发光效率低,所以要求使蓝色的发光元件的发光效率提高。
以往,作为使发光效率提高的方法之一,已知有在发光元件采用谐振器构造的技术。例如,在专利文献1中公开了如下技术:在层叠了下部电极(反射镜(mirror))、透明导电膜、空穴输送层、发光层、电子输送层、上部电极(半反射镜)的发光元件中,调整反射镜与半反射镜之间的光学膜厚使得发光效率成为极大(第0012段)。对于光学膜厚的调整,能够通过调整构成发光元件的各层的物理膜厚来进行调整。
在先技术文献:
专利文献1:日本特开2005-116516号公报
发明内容
发明要解决的问题
一般而言,在发光元件的制造过程中,无法避免各层的物理膜厚产生制造误差。因此,当考虑制造误差的产生时,如果只是在发光元件采用谐振器构造,则会产生不充分的情况。例如对于在发光元件各层的物理膜厚在制造误差范围内偏离设计值的情况下、发光效率等发光元件的特性会极度下降的谐振器构造,不能说是具有实用性的构造。因此,希望采用如下的谐振器构造:即使发光元件各层的物理膜厚从设计值偏离,发光元件的特性也不容易从设计值偏离(即制造误差的容许量大)。
本发明的目的在于提供一种发光效率高、且制造误差的容许量大的发光元件以及使用了该发光元件的显示装置。
用于解决问题的手段
本发明的一种方式涉及的发光元件具备:反射电极;透光性电极,其与所述反射电极对向配置;发光层,其配置在所述反射电极与所述透光性电极之间,出射蓝色光;以及功能层,其配置在所述反射电极与所述发光层之间,所述功能层的光学膜厚为428.9nm以上且449.3nm以下。
发明的效果
通过满足上述数值范围,能够实现发光效率高且制造误差的容许量大的发光元件。
附图说明
图1是示意表示实施方式涉及的显示装置的像素构造的剖视图。
图2是例示蓝色的有机EL元件中的谐振器构造的图。
图3是列举了蓝色的有机EL元件各层的物理膜厚等的表。
图4是蓝色的有机EL元件所使用的发光材料的PL(Photo Luminescence:光致发光)光谱。
图5是表示以图3、图4的各参数为前提的有机EL元件中的透明导电层3的物理膜厚与发光效率的关系的曲线图。
图6是表示与图5相同条件的有机EL元件中的透明导电层的物理膜厚与色度的关系的曲线图。
图7是表示使透明导电层的物理膜厚的设计值为150nm的情况下的物理膜厚由于制造误差而从设计值150nm偏离时的发光效率的变化的曲线图。
图8是表示在与图7相同条件下、物理膜厚由于制造误差而从设计值150nm偏离时的色度的变化的曲线图。
图9是表示使透明导电层的物理膜厚的设计值为20nm的情况下的物理膜厚由于制造误差而从设计值20nm偏离时的发光效率的变化的曲线图。
图10是表示在与图9相同条件下、物理膜厚由于制造误差而从设计值20nm偏离时的色度的变化的曲线图。
图11是表示通过模拟得到的结果的图。
图12是表示透明导电层的膜厚容许宽度和发光层的膜厚容许宽度的表。
图13表示实施方式涉及的显示装置的功能框图。
图14是例示实施方式涉及的显示装置的外观的图。
图15是用于说明实施方式涉及的显示装置的制造方法的图。
图16是用于说明实施方式涉及的显示装置的制造方法的图。
标号说明
1:基板
2:反射电极
3:透明导电层
4:空穴注入层
5:空穴输送层
6b、6g、6r:发光层
7:电子输送层
8:透光性电极
9:薄膜封止层
10:树脂封止层
11:基板
12:堤
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择