[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

半导体元件；

焊料层，该焊料层配置在所述半导体元件的至少一个面上；以及

引线框，该引线框以夹着多孔镀镍部的方式配置在所述焊料层上。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述多孔镀镍部的厚度是10～100μm，孔隙率是20～60％。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

将所述多孔镀镍部施加到所述引线框上。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述多孔镀镍部的线膨胀系数大于所述半导体元件的线膨胀系数且小于所述引线框的线膨胀系数。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，包括：

另一焊料层，该另一焊料层配置在所述半导体元件的配置有所述焊料层的一侧面的相反侧的面上；以及

另一引线框，该另一引线框以夹着另一多孔镀镍部的方式配置在所述另一焊料层上。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述多孔镀镍部具有多个空孔，

在位于所述多孔镀镍部的与所述焊料层相接合的面上的所述空孔中，埋入有导热率高于镍的粒子。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

埋入有所述粒子的所述多孔镀镍部的线膨胀系数大于所述半导体元件的线膨胀系数且小于所述引线框的线膨胀系数。

8.如权利要求6或7所述的半导体装置，其特征在于，

埋入所述空孔的所述粒子是炭材料的粒子。

9.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述多孔镀镍部的厚度是10～200μm，孔隙率是20～60％。

10.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

埋入所述空孔的粒子的直径是4～50nm。

11.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，包括：

另一焊料层，该另一焊料层配置在所述半导体元件的配置有所述焊料层的一侧面的相反侧的面上；以及

另一引线框，该另一引线框以夹着具有多个空孔的另一多孔镀镍部的方式配置在所述另一焊料层上，

在位于所述另一多孔镀镍部的与所述另一焊料层相接合的面上的所述空孔中，埋入有导热率高于镍的粒子。

12.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

多孔镀镍工序，该多孔镀镍工序对引线框施加多孔镀镍；以及

焊料接合工序，该焊料接合工序利用焊料将半导体元件、与所述引线框的施加了所述多孔镀镍的一侧进行接合。

13.如权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

还包括粒子埋入工序，该粒子埋入工序将导热率高于镍的粒子埋入到位于由所述多孔镀镍工序施加到所述引线框的所述多孔镀镍的表面的空孔中。

14.如权利要求12或13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述多孔镀镍工序中，选择性地在所述引线框的与所述半导体元件进行接合的一侧的面上施加所述多孔镀镍。

15.一种半导体装置，

该半导体装置是利用权利要求12记载的的半导体装置的制造方法所制造的半导体装置，其特征在于，

所述多孔镀镍部的线膨胀系数大于所述半导体元件的线膨胀系数且小于所述引线框的线膨胀系数。

16.一种半导体装置，

该半导体装置是利用权利要求13记载的的半导体装置的制造方法所制造的半导体装置，其特征在于，

埋入有所述粒子的所述多孔镀镍部的线膨胀系数大于所述半导体元件的线膨胀系数且小于所述引线框的线膨胀系数。