[发明专利]振荡器和IC 芯片无效
申请号: | 201280003731.0 | 申请日: | 2012-11-12 |
公开(公告)号: | CN103250347A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 丸晴彦 | 申请(专利权)人: | 旭化成微电子株式会社 |
主分类号: | H03B5/32 | 分类号: | H03B5/32 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 振荡器 ic 芯片 | ||
技术领域
本发明涉及振荡产生频率信号的振荡器和IC芯片。
背景技术
TCXO(温度补偿型晶体振荡器)针对周围温度的变化,得到稳定的输出频率。因此,TCXO广泛用于移动电话、PND(个人导航设备)等。
近年来,对这些设备要求高功能化、可工作时间的长寿命化,对其安装部件要求低功耗化。以前,通过使TCXO间歇地动作来实现低功耗化,但为了实现进一步的低功耗化,要求以低电压使TCXO动作。作为使用了这样的温度补偿型晶体振荡器的现有的振荡器,例如存在专利文件1所记载的振荡器。
图7是表示专利文件1所记载的振荡器的主要部分的结构图。该振荡器由能够通过电压改变频率的振荡电路1、生成驱动该振荡电路1所需要的偏压信号的偏压生成电路2构成。
在此,偏压生成电路2相当于专利文件1的近似三次函数产生装置等。
图8是表示专利文件1所记载的振荡器的近似三次函数产生装置的结构图。例如,在使用AT切割的晶体振子的情况下,振荡频率具有以三次函数近似的温度特性,因此,通过该近似三次函数产生装置21能够抵消温度特性。
近似三次函数产生装置21将相对于温度变化以一次函数的形式变化的来自温度检测电路22的温度检测值作为输入信号VIN而输入,产生补偿晶体的温度特性的温度补偿电压(偏压信号BIAS),将其供给振荡电路1。近似三次函数产生装置21由加法器23、三次成分兼常数成分产生部24、一次成分产生部25以及加法电路26构成。加法器23对输入信号VIN加上用于调整三次函数曲线的中心温度的可变电压V0,输出加法输出VS。三次成分兼常数成分产生部24被输入加法输出VS,输出输出信号VAOUT。一次成分产生部25被输入加法输出VS,输出输出信VBOUT。加法电路26将输出信号VAOUT和输出信号VBOUT相加,输出温度补偿电压(偏压信号BIAS)。构成近似三次函数产生装置21的三次成分兼常数成分产生部24、一次成分产生部25以及加法电路26接受来自供给电源电压VDD的外部电源的电力供给。
偏压生成电路2生成用于驱动振荡电路1的温度补偿电压(偏压信号BIAS)、驱动振荡电路1所需要的基准电压或基准电流,将它们供给振荡电路1。由此,能够正确地补偿晶体振荡器的温度特性。
专利文件1:日本专利3233946号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是,在如专利文件1所记载的以往的振荡器的电路结构中,即使使电源电压低电压化也无法实现大幅降低。进一步,在以往的振荡器的电路结构中,只简单地使电源电压低电压化,有时动态范围会减少,相位噪声会恶化。因此,在以往的振荡器的电路结构中,难以实现电源电压的低电压化。另外,不只是使用晶体振子的晶体振荡器,在使用其他振荡元件的振荡电路中也同样存在这样的问题。
本发明是鉴于上述问题而提出的,其目的在于提供采用现有的电路结构并且不使相位噪声恶化就能够使电源电压低电压化的振荡器。
用于解决问题的方案
本发明的某方式的振荡器的特征在于,具有:振荡电路;偏压生成电路,其生成用于驱动上述振荡电路的偏压信号;以及升压电路,其对电源电压进行升压,生成用于驱动上述偏压生成电路的升压电压。
根据该结构,采用现有的电路结构并且不使相位噪声恶化就能够使电源电压低电压化。
在上述振荡器中,也可以是根据上述振荡电路的输出信号来驱动上述升压电路。
这样,具有以下的效果,在升压电路的输出电压中产生的寄生波(spurious Tone)只为振荡频率的整数倍,在升压电压HVDD中不会出现非高次谐波寄生信号。
在上述振荡器中,也可以是上述偏压生成电路具备:第一偏压生成电路,其由上述电源电压进行驱动;第二偏压生成电路,其由从上述升压电路输出的升压电压进行驱动;以及切换部,其对上述第一偏压生成电路的输出和上述第二偏压生成电路的输出进行切换。
这样,能够提高电源接通时的振荡电路的启动特性,并且通过升压电路驱动偏压生成电路。
在上述振荡器中,也可以是上述第一偏压生成电路是用于促进振荡的振荡促进用偏压生成电路,上述第二偏压生成电路是用于进行通常动作的通常动作用偏压生成电路。
上述振荡器也可以还具有控制电路,该控制电路控制上述切换部的切换动作。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旭化成微电子株式会社,未经旭化成微电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280003731.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。