[发明专利]半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，其特征在于，包括：

安装基板；

形成在所述安装基板的表面上的金属；和

被保持于所述安装基板的表面上，包含以非极性面或半极性面为生长面的氮化物半导体有源层的半导体发光芯片，

在所述安装基板的表面上，将被来自所述氮化物半导体有源层的光照射、且结晶轴方向的半导体发光芯片侧方的区域作为高偏振特性区域，所述结晶轴方向与所述氮化物半导体有源层平行、且与来自所述氮化物半导体有源层的光的偏振方向垂直，

在所述安装基板的表面上，将被来自所述氮化物半导体有源层的光照射、且所述高偏振特性区域以外的区域作为低偏振特性区域时，

所述金属配置在所述高偏振特性区域的至少一部分的区域，

所述低偏振特性区域的至少一部分的镜面反射的比例比所述金属的镜面反射的比例低，

所述高偏振特性区域中的镜面反射的比例比所述低偏振特性区域中的镜面反射的比例高。

2.一种半导体发光器件，其特征在于，包括：

安装基板；

形成在所述安装基板的表面上的配线电极；和以与所述配线电极电连接的方式被保持在所述安装基板的表面上，包含以非极性面或半极性面为生长面的氮化物半导体有源层的半导体发光芯片，

在所述安装基板的表面上，将被来自所述氮化物半导体有源层的光照射、且结晶轴方向的半导体发光芯片侧方的区域作为高偏振特性区域，所述结晶轴方向与所述氮化物半导体有源层平行、且与来自所述氮化物半导体有源层的光的偏振方向垂直，

在所述安装基板的表面上，将被来自所述氮化物半导体有源层的光照射、且所述高偏振特性区域以外的区域作为低偏振特性区域时，

所述配线电极配置在所述高偏振特性区域的至少一部分的区域，

所述低偏振特性区域的至少一部分的镜面反射的比例比所述配线电极的镜面反射的比例低，

所述高偏振特性区域中的镜面反射的比例比所述低偏振特性区域中的镜面反射的比例高。

3.一种半导体发光器件，其特征在于，包括：

安装基板；

形成在所述安装基板的表面上的配线电极；和

以与所述配线电极电连接的方式被保持在所述安装基板的表面上，包含以m面为生长面的氮化物半导体有源层的半导体发光芯片，

设所述半导体发光芯片的一边的长度为L，所述半导体发光芯片的厚度为T，

在所述安装基板的表面，定义中心与所述半导体发光芯片的俯视时的重心位置相同，长轴与所述氮化物半导体有源层的c轴平行，短轴与所述氮化物半导体有源层的a轴平行，且具有由以下的式（1）和式（2）表示的长轴半径α和短轴半径β的椭圆形，

式（1）

α=2{(L2+2TL)/π}]]>

式（2）

β={(L2+2TL)/π}]]>

在俯视时，以所述半导体发光芯片的外周被包围的方式，使用与所述氮化物半导体有源层的c轴平行的两根直线和与所述氮化物半导体有源层的a轴平行的两根直线，将所述椭圆形的内侧划分为9个区域，

设在所述9个区域之中、将所述半导体发光芯片包围的区域为第一区域，

设在所述第一区域的c轴方向上相邻的2个区域的集合为第二区域，

设所述第一区域和所述第二区域以外的6个区域的集合为第三区域，与所述c轴平行的两根直线和与所述a轴平行的两根直线，以所述第一区域的面积为最小的方式设定的情况下，

所述配线电极配置在所述第二区域的至少一部分的区域，

所述第三区域的至少一部分具有镜面反射的比例比所述配线电极的镜面反射的比例低的部分，

所述第二区域中的镜面反射的比例比所述第三区域中的镜面反射的比例高。