[发明专利]液晶显示面板及其制造方法和阵列基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201280003813.5 申请日: 2012-01-24
公开(公告)号: CN103229095A 公开(公告)日: 2013-07-31
发明(设计)人: 原义仁;中田幸伸 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: G02F1/1368 分类号: G02F1/1368;H01L29/786
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 液晶显示 面板 及其 制造 方法 阵列
【说明书】:

技术领域

本发明涉及液晶显示面板及其制造方法和阵列基板及其制造方法,特别涉及液晶显示面板及构成它的阵列基板中的黑点化的缺陷修正技术。

背景技术

液晶显示面板例如包括:按各个作为图像的最小单位的子像素设置薄膜晶体管(Thin Film Transistor,以下也称为“TFT”)等而得到的TFT阵列基板;以与TFT阵列基板相对的方式设置的对置基板;和设置在TFT阵列基板与对置基板之间的液晶层。

TFT阵列基板例如包括:以相互平行地延伸的方式设置的多个栅极线;分别设置在各栅极线之间,以相互平行地延伸的方式配置的多个电容线;以覆盖各栅极线和各电容线的方式设置的栅极绝缘膜;以在与各栅极线正交的方向上相互平行地延伸的方式设置在栅极绝缘膜上的多个源极线;按各栅极线和各源极线的每个交叉部分分别设置的多个TFT;以覆盖各TFT和各源极线的方式设置的层间绝缘膜;和在层间绝缘膜上设置为矩阵状,与各TFT分别连接的多个像素电极。

TFT例如包括:设置在玻璃基板等透明基板的栅极电极;以覆盖栅极电极的方式设置的栅极绝缘膜;在栅极绝缘膜上以与栅极电极重叠的方式设置为岛状的半导体层;和在半导体层上以相互分离的方式设置的源极电极和漏极电极。此处,栅极电极例如为各栅极线向侧面突出的部分。此外,源极电极例如为各源极线向侧面突出的部分。而且,漏极电极通过经形成于层间绝缘膜的接触孔与像素电极连接,并且隔着栅极绝缘膜与电容线重叠而构成辅助电容。

在液晶显示面板,如果在按各子像素设置的TFT中,例如在源极电极与漏极电极之间存在具有导电性的异物或残膜等,则存在源极电极与漏极电极短路的问题。如此,在该子像素的像素电极总是被输入来自源极线的显示信号,所以该子像素容易作为亮点被检测出来。因此,在被检测出亮点的子像素,例如通过切断漏极电极并且将被切断的漏极电极的与像素电极连接的一侧与栅极线或电容线连接,进行将亮点变成黑点的缺陷修正。

例如,在专利文献1,公开有如下的缺陷像素的修正方法:在具有未被施加来自数据总线(源极线)的数据信号(显示信号)的缺陷像素的像素电极的TFT方式的液晶显示装置中,在与栅极总线(栅极线)连接的TFT的栅极电极的部分照射光能,经由漏极电极将该栅极电极与缺陷像素的像素电极电连接,向缺陷像素的像素电极输入栅极总线的扫描信号。

此处,因为在如专利文献1所述那样将漏极电极与栅极线电连接的修正方法中,根据液晶层的灰度等级特性的不同存在亮点不成为黑点而作为中间灰度等级的亮点被检测出来的情况,所以,在液晶显示面板的制造中,将漏极电极与电容线电连接而黑点化的修正方法成为主流。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开平9-179143号公报

发明内容

发明所要解决的问题

因此,在上述结构的TFT阵列基板,因配置在各子像素的遮光性的电容线而使开口率变低,因此,通过代替电容线、在层间绝缘膜与各像素电极之间依次配置透明的电容电极和绝缘膜,由电容电极、各像素电极和它们之间的绝缘膜构成辅助电容,实现提高了开口率的高开口率的TFT阵列基板被提案。

但是,在该高开口率的TFT阵列基板,如果层间绝缘膜由将比较薄的无机绝缘膜和比较厚的有机绝缘膜依次叠层而得到的叠层膜构成,则在进行黑点化的缺陷修正时,即使从透明基板一侧向连接处照射激光,也难以将漏极电极和与电容线相当的电容电极电连接。这被认为是因为,由于激光的照射,即使漏极电极的金属在层间绝缘膜中飞散,但因为构成层间绝缘膜的有机绝缘膜比较厚,所以漏极电极的金属未到达与电容线相当的电容电极。与此相对,在上述的低开口率的TFT阵列基板,当从透明基板一侧向连接处照射激光时,电容线的金属在比较薄的栅极绝缘膜中飞散而到达漏极电极,由此,漏极电极与电容线电连接,能够进行黑点化的缺陷修正。

本发明是鉴于该问题而完成的,其目的在于,在黑点化的缺陷修正中,可靠地连接漏极电极与电容电极。

用于解决问题的方式

为了达到上述目的,本发明构成为,将无机绝缘膜和有机绝缘膜依次叠层而形成漏极电极与电容电极之间的层间绝缘膜,具备漏极电极和电容电极隔着从有机绝缘膜露出的有机绝缘膜相互重叠的连接区域。

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