[发明专利]金属膜的加工方法及加工装置无效
申请号: | 201280003850.6 | 申请日: | 2012-01-17 |
公开(公告)号: | CN103229278A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | 军司勋男;三好秀典;原谦一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302;C23F4/00;H01J27/02;H01J37/317;H01L21/3213 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 金世煜;苗堃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属膜 加工 方法 装置 | ||
1.一种金属膜的加工方法,包括如下步骤:
形成步骤,使氧化所述金属膜的元素而形成氧化物的氧化气体、与所述氧化物反应而形成有机金属络合物的络合化气体以及稀有气体的混合气体,在能够真空排气的处理容器内绝热膨胀而形成气体团簇束;和
加工步骤,通过使所述气体团簇束碰撞于形成在所述被处理体的表面的金属膜而对所述金属膜进行蚀刻。
2.根据权利要求1所述的金属膜的加工方法,其特征在于,所述氧化气体由选自O2、H2O和H2O2中的1种以上的材料构成。
3.根据权利要求1所述的金属膜的加工方法,其特征在于,所述络合化气体由选自乙酰丙酮、六氟乙酰丙酮即1,1,1,5,5,5-六氟-2,4-戊二酮:H(hfac)、三氟乙酸即TFA、甲酸、乙酸、丙酸、丁酸以及戊酸中的1种以上的材料构成。
4.根据权利要求1所述的金属膜的加工方法,其中,所述加工步骤是使气体团簇束离子化、进行加速而碰撞于金属膜。
5.根据权利要求1所述的金属膜的加工方法,其中,所述形成步骤是由将所述氧化气体的量设定成小于所述络合化气体的量的混合气体形成气体团簇束。
6.根据权利要求1所述的金属膜的加工方法,其中,所述加工步骤是使用形成于所述金属膜的表面的图案化的掩模来加工所述金属膜。
7.根据权利要求1所述的金属膜的加工方法,其中,所述金属膜由选自Cu、Co、Ni、Pt和Ru中的1种材料构成。
8.一种加工装置,具备:
能够进行真空排气的处理容器,
保持所述被处理体的保持单元,和
气体团簇束形成单元,与所述保持单元相对地设置,并且使氧化所述金属膜的元素而形成氧化物的氧化气体、与所述氧化物反应而形成有机金属络合物的络合化气体以及稀有气体的混合气体,在所述处理容器内绝热膨胀而形成气体团簇束,
并且,通过使所述气体团簇束碰撞于形成在所述被处理体的表面的金属膜来对所述金属膜进行蚀刻。
9.根据权利要求8所述的加工装置,进一步具备:
喷嘴部,从所述气体团簇束形成单元放射所述气体团簇束,和
筛选板,与该喷嘴部相对地配置,具有筛选孔,所述筛选孔从所述气体团簇束仅选择朝向所希望的方向的束,在筛选板与被所述保持单元保持的被处理体之间使之通过。
10.根据权利要求8所述的加工装置,其特征在于,进一步具备将所述气体团簇束离子化的电离器和使离子化的所述气体团簇束加速的加速电极部。
11.根据权利要求10所述的加工装置,其中,在所述筛选板与被处理体之间进一步具备与所述筛选板平行地设置的间隔壁,
所述电离器和所述加速电极部配置于被所述间隔壁和所述筛选板划分的离子化空间,将在所述离子化空间离子化、加速的所述气体团簇束,从设置于所述间隔壁上的照射孔向被处理体照射。
12.根据权利要求8所述的加工装置,其特征在于,所述氧化气体由选自O2、H2O和H2O2中的1种以上的材料构成。
13.根据权利要求8所述的加工装置,其特征在于,所述络合化气体由选自乙酰丙酮、六氟乙酰丙酮即1,1,1,5,5,5-六氟-2,4-戊二酮:H(hfac)、三氟乙酸即TFA、甲酸、乙酸、丙酸、丁酸和戊酸中的1种以上的材料构成。
14.根据权利要求8所述的加工装置,其中,所述气体团簇束形成单元是由将所述氧化气体的量设成小于所述络合化气体的量的混合气体形成气体团簇束。
15.根据权利要求8所述的加工装置,其中,所述加工装置使用形成于所述金属膜的表面的图案化的掩模来加工所述金属膜。
16.根据权利要求8所述的加工装置,其特征在于,所述金属膜由选自Cu、Co、Ni、Pt和Ru中的1种材料构成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造