[发明专利]电阻变化型非易失性存储装置以及电阻变化型非易失性存储装置的访问方法有效
申请号: | 201280004338.3 | 申请日: | 2012-11-15 |
公开(公告)号: | CN103282965A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 池田雄一郎;岛川一彦;东亮太郎 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电阻 变化 型非易失性 存储 装置 以及 访问 方法 | ||
技术领域
本发明涉及具有使用所谓的电阻变化型元件构成的存储单元的电阻变化型非易失性存储装置及其访问方法。
背景技术
近年来,具有使用所谓的电阻变化型元件构成的存储单元的电阻变化型非易失性存储装置(以下也简称为“非易失性存储装置”)的研究开发正在进行。所谓电阻变化型元件是指,具有根据电信号而电阻值发生变化的性质、并能够利用该电阻值的变化来存储信息的元件。
另外,对于使用了电阻变化型元件的存储单元,其中之一采用所谓的交叉点结构。在交叉点结构中,在正交配置的位线和字线的交点位置上,由位线和字线夹着而构成各存储单元。以往,作为这样的交叉点结构的非易失性存储装置,提出了各种形态(专利文献1~6、非专利文献1等)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2006-203098号公报(图2、图5)
专利文献2:日本特开2005-311322号公报(图4)
专利文献3:日本特表2006-514393号公报
专利文献4:日本特开2004-31948号公报
专利文献5:日本特开2007-165873号公报(图5、图9)
专利文献6:国际公开第2009/001534号
非专利文献
非专利文献1:I.G.Baek等,“Multi-layer Cross-point Binary Oxide Resistive Memory(OxRRAM(注册商标))for Post-NAND Storage Application”、IEDM2005(IEEE international ELECTRON DEVICES meeting 2005),769-772,Session31(Fig.7、Fig.11)、2005年12月5日
发明概要
发明要解决的问题
在上述这样的电阻变化型的非易失性存储装置中,在对存储单元进行连续的访问时,用来进行该连续的访问的控制希望是简单的。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种在对存储单元进行连续的访问时访问控制简单的电阻变化型非易失性存储装置等。
解决问题的手段
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