[发明专利]瞬态电压抑制器

权利要求书

1.一种用于保护组件的瞬态电压抑制器，所述保护组件耦合到被配置成提供电源电压V_CC的电源，所述瞬态电压抑制器包括：

硅可控整流器(SCR)，其具有耦合到被配置成在V_CC处供应电压的第一端子的阳极，所述硅可控整流器包括PNP晶体管(Q2)和NPN晶体管(Q3)，所述PNP晶体管具有与所述NPN晶体管的集电极公用的基极，并且所述PNP晶体管具有与所述NPN晶体管的基极公用的集电极；

齐纳二极管，其具有阳极和阴极，其中所述阳极直接耦合到所述NPN晶体管的所述基极和/或所述阴极直接耦合到所述PNP晶体管的所述基极；以及

额外的NPN晶体管(Q1)，其中所述硅可控整流器的所述阴极直接耦合到所述额外的NPN晶体管的基极，并且其中所述额外的NPN晶体管的集电极和发射极直接串联耦合在V_CC与接地之间。

2.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其中晶体管Q1-Q3被相互配置，使得：

V_CE，Q1＜V_CE，Q2+V_BE，Q3，或

V_CE，Q1＜V_BE，Q2+V_CE，Q3，

其中V_CE，Q1为晶体管Q1上的集电极-发射极饱和电压，

V_CE，Q2为晶体管Q2上的集电极-发射极电压，

V_BE，Q3为晶体管Q3上的基极-发射极正向电压，

V_BE，Q2为晶体管Q2上的基极-发射极正向电压，以及

V_CE，Q3为晶体管Q3上的集电极-发射极电压。

3.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其中所述齐纳二极管被配置成在接收到高电压脉冲后触发所述SCR。

4.如权利要求3所述的瞬态电压抑制器，其中来自所述触发的SCR的电流被布置成接通Q1。

5.如权利要求4所述的瞬态电压抑制器，其中Q1被布置成在约1V的电压电平下传导电流。

6.如权利要求4所述的瞬态电压抑制器，其中在接通Q1后Q1上的集电极-发射极电压足够低以触发所述SCR断开。

7.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其中所述齐纳二极管的所述阴极形成与Q3的所述集电极和Q2的基极的公共连接。

8.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其中所述齐纳二极管的所述阴极连接到V_CC，并且所述齐纳二极管的所述阳极形成与Q2的所述集电极和Q3的基极的公共连接。

9.如权利要求8所述的瞬态电压抑制器，其包括第二齐纳二极管，所述第二齐纳二极管被布置成其阴极与Q2的所述基极和Q3的所述集电极公共连接。

10.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其中所述齐纳二极管的所述阴极与Q2的所述基极和Q3的集电极公共连接，并且所述齐纳二极管的所述阳极形成与Q2的所述集电极和Q3的基极的公共连接。

11.一种提供用于保护组件的瞬态电压抑制的方法，所述保护组件耦合到被配置成提供电源电压V_CC的电源，所述方法包括：

提供硅可控整流器(SCR)，其具有耦合到被配置成在V_CC处供应电压的第一端子的阳极，所述硅可控整流器包括PNP晶体管(Q2)和NPN晶体管(Q3)，所述PNP晶体管具有与所述NPN晶体管的集电极公用的基极，并且所述PNP晶体管具有与所述NPN晶体管的基极公用的集电极；

提供具有阳极和阴极的齐纳二极管，其中所述阳极直接耦合到所述NPN晶体管的所述基极和/或所述阴极直接耦合到所述PNP晶体管的所述基极；以及

提供额外的NPN晶体管(Q1)，其中所述硅可控整流器的所述阴极直接耦合到所述额外的NPN晶体管的基极，并且其中所述额外的NPN晶体管的集电极和发射极直接串联耦合在V_CC与接地之间。

12.如权利要求11所述的方法，其进一步包括：

接收高电压脉冲；以及

使用所述齐纳二极管触发所述SCR。