[发明专利]导电结构体及其制备方法

权利要求书

1.一种导电结构体，其包括：

基板；

导电图形层；和

满足下列公式1的AlOxNy暗化图形层(x>0,y>0)，

[公式1]

1<(Al)at×3(O)at×2+(N)at×3<2]]>

其中，在AlOxNy中，x和y分别是指O和N原子的数量与一个Al原子的比值，并且基于在公式1中由AlOxNy表示的所有原子的100%含量，(Al)at表示Al的原子含量(at%)，(O)at表示O的原子含量(at%)，以及(N)at表示N的原子含量(at%)。

2.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电结构体的消光系数k为0.2以上且2.5以下。

3.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，在与所述导电图形层接触的所述暗化图形层的表面的相对表面的方向上测量的总反射率为20%以下。

4.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述暗化图形层设置在所述导电图形层和所述基板之间，并且在所述基板一侧测量的总反射率为20%以下。

5.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，基于L*a*b*色值，所述导电结构体的亮度值L*为50以下。

6.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电结构体的表面电阻为1Ω/□以上且300Ω/□以下。

7.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电结构体的暗化层或导电层在图形化之前的表面电阻为大于0Ω/□且2Ω/□以下。

8.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述暗化图形层的厚度为10nm以上且400nm以下。

9.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述暗化图形层的厚度为30nm以上且300nm以下。

10.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述暗化图形层的厚度为50nm以上且100nm以下。

11.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电结构体的暗化图形层设置在所述导电图形层的至少一个表面上。

12.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电图形层包括选自金属、金属合金、金属氧化物、金属氮化物和它们的混合物中至少一种。

13.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电图形层包括选自银、铝、铜、钕、钼、镍、它们的合金、它们的氧化物、它们的氮化物以及上述物质的混合物中的至少一种。

14.一种触屏面板，其包括：

根据权利要求1-13中任一项所述的导电结构体。

15.一种显示器件，其包括：

根据权利要求1-13中任一项所述的导电结构体。

16.一种太阳能电池，其包括：

根据权利要求1-13中任一项所述的导电结构体。