[发明专利]氮化镓基半导体激光器元件和制造氮化镓基半导体激光器元件的方法

权利要求书

1.一种氮化镓(GaN)基半导体激光器元件，其包含：

n型GaN基半导体的n型包覆层；

GaN基半导体的第一光导层，其设置于所述n型包覆层上；

GaN基半导体的有源层，其设置于所述第一光导层上；

GaN基半导体的第二光导层，其设置于所述有源层上；和

p型GaN基半导体的p型包覆层，其设置于所述第二光导层上，

其中所述有源层的激射波长为400nm以上且550nm以下，

其中所述第一和第二光导层均含有铟，

其中所述第一和第二光导层的铟含量各自为2%以上且6%以下，

其中所述第一光导层的膜厚度处于所述第一光导层的膜厚度与所述第二光导层的膜厚度之和的65%以上且85%以下范围内，且

其中所述第一光导层和所述第二光导层与所述有源层接触。

2.根据权利要求1的GaN基半导体激光器元件，

其中所述n型包覆层为In_xAl_yGa_1-x-yN(0<x<0.05且0<y<0.20)，且

其中所述p型包覆层为In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x<0.05且0<y<0.20)。

3.根据权利要求1或权利要求2的GaN基半导体激光器元件，其中所述有源层具有包含单个量子阱层的单量子阱结构。

4.根据权利要求1或权利要求2的GaN基半导体激光器元件，其中所述有源层具有包含多个量子阱层和多个势垒层的多量子阱结构。

5.根据权利要求1至4中任一项的GaN基半导体激光器元件，其中所述第一光导层与所述有源层之间的界面自与沿c轴延伸的基准轴正交的面朝m轴方向倾斜。

6.根据权利要求5的GaN基半导体激光器元件，其中所述第一光导层与所述有源层之间的界面自与所述基准轴正交的面朝m轴方向以63度以上且低于80度的角度倾斜。

7.根据权利要求5或权利要求6的GaN基半导体激光器元件，进一步包含具有GaN基半导体的主面的衬底，

其中在所述主面上依次设置有所述n型包覆层、所述第一光导层、所述有源层、所述第二光导层和所述p型包覆层，且

其中所述主面自与所述基准轴正交的面朝m轴方向以63度以上且低于80度的角度倾斜。

8.根据权利要求1至7中任一项的GaN基半导体激光器元件，其中所述有源层的激射波长为480nm以上且550nm以下。

9.根据权利要求1至7中任一项的GaN基半导体激光器元件，其中所述有源层的激射波长为510nm以上且540nm以下。

10.根据权利要求1至9中任一项的GaN基半导体激光器元件，其中所述第一光导层的铟含量为2%以上且5%以下。

11.根据权利要求1至9中任一项的GaN基半导体激光器元件，其中所述第一光导层的铟含量为2%以上且4.5%以下。

12.根据权利要求1至11中任一项的GaN基半导体激光器元件，其中所述第二光导层的铟含量为2%以上且5%以下。

13.根据权利要求1至11中任一项的GaN基半导体激光器元件，其中所述第二光导层的铟含量为2%以上且4.5%以下。