[发明专利]光伏电池

权利要求书

1.一种光伏结构，其包括：

半导体衬底；以及

第一多个金属颗粒，其接合到所述半导体衬底，

借此所述光伏结构能够致使在暴露于红外光谱、可见光谱或紫外光谱中的一者或一者以上内的电磁辐射后即刻产生电流。

2.根据权利要求1所述的光伏结构，其中所述光伏结构是半透明的。

3.根据权利要求1所述的光伏结构，其中所述第一多个金属颗粒如下产生：

通过溅镀、气相沉积或印刷中的一者或一者以上将第一金属层沉积到所述半导体衬底上；以及

在400摄氏度与1200摄氏度之间的范围内的温度下加热所述光伏结构。

4.根据权利要求3所述的光伏结构，其中所述第一金属层包括镍、铜或钴中的一者或一者以上。

5.根据权利要求3所述的光伏结构，其中所述第一金属层具有在5纳米与20纳米之间的范围内的厚度。

6.根据权利要求1所述的光伏结构，其进一步包括第二多个金属颗粒，其中所述第一多个金属颗粒和所述第二多个金属颗粒如下产生：

通过溅镀、气相沉积或印刷中的一者或一者以上将第一金属层沉积到所述半导体衬底上；

通过溅镀、气相沉积或印刷中的一者或一者以上将第二金属层沉积到所述第一金属层上；以及

在400摄氏度与1200摄氏度之间的范围内的温度下加热所述光伏结构。

7.根据权利要求6所述的光伏结构，其中所述第一和所述第二多个金属颗粒包括银、金、铂、铜、钯、钴、钛、钨、镍、铬和铝中的一者或一者以上。

8.根据权利要求6所述的光伏结构，其中所述第一金属层具有在5纳米与20纳米之间的范围内的厚度，且其中所述第二金属层具有在20纳米到200纳米之间的范围内的厚度。

9.根据权利要求1所述的光伏结构，其中所述半导体衬底具有在10纳米与500微米之间的范围内的厚度。

10.根据权利要求1所述的光伏结构，其中所述半导体衬底包括硅，包含非晶硅、多晶硅或单晶硅中的一者或一者以上。

11.根据权利要求1所述的光伏结构，其中所述第一多个金属颗粒中的所述颗粒中的任一者具有在0.001微米与50微米之间的范围内的大小。

12.根据权利要求1所述的光伏结构，其中所述第一多个金属颗粒均匀分布于所述衬底上。

13.根据权利要求1所述的光伏结构，其中所述第一多个金属颗粒在颗粒之间具有在0.001微米到100微米的范围内的间距。

14.根据权利要求1所述的光伏结构，其中所述光伏结构具有在100纳米与500微米之间的范围内的厚度。

15.一种用于制造光伏结构的方法，其包括：

通过溅镀、气相沉积或印刷中的一者或一者以上将第一金属层沉积到半导体衬底上；以及

在400摄氏度与1200摄氏度之间的范围内的温度下加热所述第一金属层和所述半导体衬底以产生接合到所述半导体衬底的第一多个金属颗粒，

借此通过所述沉积和所述加热产生的所述光伏结构能够致使在暴露于红外光谱、可见光谱或紫外光谱中的一者或一者以上内的电磁辐射后即刻产生电流。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述光伏结构是半透明的。

17.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一金属层包括镍、铜或钴中的一者或一者以上。

18.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一金属层具有在5纳米与20纳米之间的范围内的厚度。

19.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括：

通过溅镀、气相沉积或印刷中的一者或一者以上将第二金属层沉积到所述第一金属层上；以及

所述加热步骤进一步包括在400摄氏度与1200摄氏度之间的范围内的温度下加热所述第二金属层和所述半导体衬底以产生接合到所述半导体衬底的第二多个金属颗粒。

20.根据权利要求19所述的方法，其中所述第一金属层具有在5纳米与20纳米之间的范围内的厚度，且其中所述第二金属层具有在20纳米到200纳米之间的范围内的厚度。