[发明专利]底层涂料组合物及制造微电子器件的方法

权利要求书

1.底层涂料组合物，其包含聚合物，其中该聚合物包含在该聚合物主链中的至少一个包含氟或碘部分的羟基芳香族单元，和至少一个包含氨基塑料的单元。

2.权利要求1的组合物，其中该羟基芳香族单元具有结构(1)：

其中R₁选自碘部分和氟部分；R₂和R₃独立地选自碘部分、氟部分、羟基、(C₁-C₄)烷基、羟基(C₁-C₄)烷基、OC₁-C₄烷基、(C=O)(C₁-C₄)烷基、C₁-C₄烷基O(C₁-C₄)烷基、C₁-C₄烷基(C=O)(C₁-C₄)烷基和C(O)O(C₁-C₄)烷基；以及R₂和R₃相连形成与苯酚稠合的羟基芳香环。

3.权利要求1或2的组合物，其中该氟或碘部分选自I、F、C₁-C₄氟代烷基、C₁-C₄羟基氟代烷基、OC₁-C₄氟代烷基、C(O)(C₁-C₄)氟代烷基和C(O)O(C₁-C₄)氟代烷基。

4.权利要求1-3之一的组合物，其中该包含氨基塑料的单元源自甘脲单体或脲/甲醛低聚物。

5.权利要求1-4之一的组合物，其中该聚合物进一步包括不含氟或碘部分的酚类单元、热酸产生剂、聚酯聚合物、和/或与权利要求1的聚合物不同的甘脲聚合物。

6.权利要求1-5之一的组合物，其中该羟基芳香族单元是萘酚。

7.权利要求1-6之一的组合物，进一步包含溶剂、和/或第二聚合物。

8.权利要求1-7之一的组合物或聚合物，具有在1wt%-30wt%范围内的氟或碘含量。

9.权利要求1-8之一的组合物，其中该羟基芳香族单元源自：

10.权利要求1-9之一的组合物，其中该组合物不含外部交联剂。

11.微电子器件的制备方法，包括：

a)提供具有权利要求1-10之一的底层涂料组合物的层的基材；

b)将光致抗蚀剂层涂覆在该底层涂料上；

c)成像曝光该光致抗蚀剂层；

d)用碱性显影水溶液显影该光致抗蚀剂层。

12.权利要求11的方法，其中该底层涂料层具有在约0.05-约1.0范围内的k值。

13.权利要求11或12的方法，其中该底层涂料层具有在约0.05-约0.5范围内的k值。

14.权利要求11-13之一的方法，其中该光致抗蚀剂能用约260nm-约12nm的辐射成像。

15.权利要求11-14之一的方法，其中该显影溶液是包含氢氧化物碱的水溶液。