[发明专利]各向异性导电膜

权利要求书

1.各向异性导电膜，其是用于将半导体芯片的凸块与配线基板的电极进行各向异性导电连接的各向异性导电膜，该各向异性导电膜通过使导电性粒子分散于绝缘性粘接剂中而成，其特征在于，

导电性粒子的复原率为10～46%，

将各向异性导电膜的最低熔融粘度设为［η₀］，将在比显示最低熔融粘度的温度T₀低60℃的温度T₁下的熔融粘度设为［η₁］时，满足以下的式（1）和（2），

1.0×10²Pa?sec≤［η₀］≤1.0×10⁶Pa?sec　　　　   （1）

1＜［η₁］/［η₀］≤30　　　　　　　　　　　　　（2）。

2.根据权利要求1所述的各向异性导电膜，其满足式（3），

5≤［η₁］/［η₀］≤15　　　　　　　　　　      （3）。

3.制造方法，其为通过将半导体芯片的凸块与配线基板的电极进行各向异性导电连接来制造连接结构体的方法，其中，

将权利要求1所述的各向异性导电膜临时粘贴在配线基板的电极上，

将半导体芯片由其凸块侧临时设置于临时粘贴了的各向异性导电膜上，

通过利用加热焊接机对临时设置的半导体芯片进行加热加压，从而将半导体芯片的凸块与配线基板的电极进行各向异性导电连接，使各向异性导电膜热固化。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其中，作为半导体芯片，使用具有2列或者3列交错排列的凸块的半导体芯片。

5.连接结构体，其通过权利要求3或4所述的制造方法制造。