[发明专利]III族氮化物半导体激光元件及III族氮化物半导体激光元件的制造方法

权利要求书

1.一种III族氮化物半导体激光元件，包括：

激光结构体，包括由六方晶系III族氮化物半导体构成且具有半极性主面的支撑基体和设置于上述支撑基体的上述半极性主面上的半导体区域；以及

电极，沿着该III族氮化物半导体激光元件中的表示波导方向的波导轴的方向延伸，且设置于上述半导体区域上；

在上述半导体区域中，第1氮化镓系半导体层、第2氮化镓系半导体层和活性层沿着上述半极性主面的法线轴排列，

上述第1氮化镓系半导体层呈现第1导电型，

上述第2氮化镓系半导体层呈现第2导电型，

上述支撑基体的上述六方晶系III族氮化物半导体的c轴向上述波导轴的方向相对于上述法线轴以角度ALPHA倾斜，

上述激光结构体包括与上述波导轴交叉的第1割断面及第2割断面，

该III族氮化物半导体激光元件的激光共振器包括上述第1割断面及第2割断面，

在上述第1割断面及第2割断面各自呈现上述支撑基体的端面及上述半导体区域的端面，

上述激光结构体包括第1面及第2面，且上述第1面为上述第2面的相反侧的面，

上述第1割断面及第2割断面分别从上述第1面的边缘延伸至上述第2面的边缘，

上述半导体区域包含InGaN层，

上述第1割断面包括设置于上述InGaN层的端面的台阶，

上述台阶沿着从该III族氮化物半导体激光元件的一侧面朝向另一侧面的方向延伸。

2.如权利要求1所述的III族氮化物半导体激光元件，其中，

上述台阶的宽度为180nm以下，

在上述波导轴的方向上规定上述台阶的宽度。

3.如权利要求1或2所述的III族氮化物半导体激光元件，其中，

上述法线轴与上述六方晶系III族氮化物半导体的c轴所成的角度为45度以上且80度以下、或100度以上且135度以下的范围。

4.如权利要求1至3中的任一项所述的III族氮化物半导体激光元件，其中，

上述InGaN层的铟组成为0.10以上且0.50以下。

5.如权利要求1至4中的任一项所述的III族氮化物半导体激光元件，其中，

上述InGaN层的厚度为1nm以上且10nm以下。

6.如权利要求1至5中的任一项所述的III族氮化物半导体激光元件，其中，

还包括设置于上述第1割断面上的电介质多层膜，

上述台阶的宽度为80nm以下。

7.如权利要求1至6中的任一项所述的III族氮化物半导体激光元件，其中，

上述III族氮化物半导体的c轴在由上述III族氮化物半导体的c轴及上述波导轴规定的第1平面中与基准轴正交，

上述半导体区域中的光射出的端面与和上述基准轴正交的基准面所成的角度在与上述第1平面及上述法线轴两者正交的第2平面中成为-5度以上且+5度以下的范围。

8.如权利要求1至7中的任一项所述的III族氮化物半导体激光元件，其中，

上述III族氮化物半导体的c轴在由上述III族氮化物半导体的c轴及上述波导轴两者规定的第1平面中与基准轴正交，

上述半导体区域中的光射出的端面与和上述基准轴正交的基准面所成的角度在上述第1平面中成为(ALPHA-5)度以上且(ALPHA+5)度以下的范围的角度。

9.如权利要求1至8中的任一项所述的III族氮化物半导体激光元件，其中，

上述InGaN层设置于上述支撑基体与上述活性层之间。

10.如权利要求1至8中的任一项所述的III族氮化物半导体激光元件，其中，

上述活性层设置于上述支撑基体与上述InGaN层之间。

11.如权利要求1至8中的任一项所述的III族氮化物半导体激光元件，其中，

上述InGaN层为上述活性层的InGaN阱层。