[发明专利]具有非对称结构的绝缘体上半导体器件

权利要求书

1.一种在绝缘体上半导体（SOI）衬底的半导体层中制造器件结构的方法，所述方法包括：

在所述半导体层中形成阴极，其包括第一导电类型和第一宽度的第一区域；以及

在所述半导体层中形成包括第二导电类型的第一区域的阳极，所述阳极相对于所述阴极设置，以便所述阳极的所述第一区域与所述阴极的所述第一区域沿着p-n结共同延伸，所述p-n结具有沿着与所述第一宽度平行的方向测量的第二宽度，并且所述第二宽度短于在与所述p-n结横向间隔的位置处测量的所述第一区域的所述第一宽度。

2.根据权利要求1的方法，其中所述SOI衬底包括掩埋介电层和处理晶片，所述处理晶片通过所述掩埋介电层与所述半导体层分隔，并且所述方法进一步包括：

在所述半导体层中形成至少一个介电区域，所述介电区域从所述半导体层的顶表面延伸到所述掩埋介电层，

其中所述至少一个介电区域将所述p-n结分为多个区段，所述区段具有共同限定所述第二宽度的单独宽度。

3.根据权利要求2的方法，进一步包括：

在所述半导体层的所述顶表面上形成第一掩模结构，所述第一掩模结构具有均与所述第一和第二宽度对准的第一侧边缘和第二侧边缘，

其中所述至少一个介电区域具有与所述第一和第二宽度对准的第一侧边缘，并且所述至少一个介电区域的所述第一侧边缘位于所述第一掩模结构的所述第一和第二侧边缘之间。

4.根据权利要求3的方法，其中在所述半导体层中形成包括所述第二导电类型的所述第一区域的所述阳极包括：

将第一掺杂剂注入所述半导体层中以形成所述阳极的所述第一区域，

其中在所述第一掺杂剂的所述注入期间，所述第一掩模结构覆盖所述阴极的所述第一区域，并且所述第一掩模结构的所述第一侧边缘与所述p-n结垂直对准。

5.根据权利要求4的方法，进一步包括：

在所述半导体层的所述顶表面上形成第二掩模结构，所述第二掩模结构与所述第一掩模结构平行定向并与所述第一掩模结构的所述第一侧边缘横向间隔。

6.根据权利要求5的方法，其中所述至少一个介电区域具有与所述至少一个介电区域的所述第一侧边缘平行的第二侧边缘，并且所述第二掩模结构与所述至少一个介电区域的所述第二侧边缘完全重叠，以便所述至少一个介电区域从所述第一掩模结构桥接到所述第二掩模结构。

7.根据权利要求5的方法，其中所述至少一个介电区域具有与所述至少一个介电区域的所述第一侧边缘平行的第二侧边缘，并且所述至少一个介电区域的所述第二侧边缘横向位于所述第一掩模结构的所述第一侧边缘与所述第二掩模结构之间，以便所述第一区域的一部分被设置在所述至少一个介电区域的所述第二侧边缘与所述第二掩模结构之间。

8.根据权利要求3的方法，进一步包括：

将第二掺杂剂注入到所述半导体层中以形成所述阴极的第二区域，所述第二区域具有与所述阴极的所述第一区域相同的导电类型和高于所述阴极的所述第一区域的导电性，

其中所述第一掩模结构的所述第二侧边缘限定所述阴极的所述第一区域与所述阴极的所述第二区域之间的边界。

9.根据权利要求8的方法，其中所述第一掩模结构与所述至少一个介电区域的所述第一侧边缘部分重叠，以便所述阴极的所述第二区域的一部分与所述至少一个介电区域的所述第一侧边缘共同延伸。

10.根据权利要求8的方法，其中所述第一掩模结构与所述至少一个介电区域的所述第一侧边缘完全重叠，以便通过所述阴极的所述第一区域将所述阴极的所述第二区域与所述至少一个介电区域的所述第一侧边缘分隔。

11.根据权利要求1的方法，其中所述SOI衬底包括掩埋介电层和处理晶片，所述处理晶片通过所述掩埋介电层与所述半导体层分隔，并且所述方法进一步包括：

在所述半导体层中形成多个介电区域，所述介电区域从所述半导体层的顶表面延伸到所述掩埋介电层，

其中所述介电区域将所述p-n结分为多个区段，所述多个区段共同提供所述第二宽度。