[发明专利]用于EUV光刻的反射镜的基底有效

专利信息
申请号: 201280006089.1 申请日: 2012-01-14
公开(公告)号: CN103328664A 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: C.埃克斯坦;H.马尔特 申请(专利权)人: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
主分类号: C22C9/00 分类号: C22C9/00;C22C21/00;C22C29/00;G02B5/08
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邱军
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 用于 euv 光刻 反射 基底
【权利要求书】:

1.一种用于EUV光刻的反射镜的包含基础体的基底,其特征在于,所述基础体(2)由沉淀硬化合金制成。

2.根据权利要求1所述的基底,其特征在于,所述基础体(2)由沉淀硬化铜或铝合金制成。

3.一种用于EUV光刻的反射镜的包含基础体的基底,其特征在于合金具有在相应的合金系的相图中位于由相稳定线定界的区域中的组成。

4.根据权利要求3所述的基底,其特征在于,所述合金为具有替代晶格的合金。

5.根据权利要求3所述的基底,其特征在于,所述合金是沉淀硬化的。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的基底,其特征在于,所述合金为铜或铝合金。

7.一种用于EUV光刻的反射镜的包含基础体的基底,其特征在于,所述基础体(2)由颗粒复合材料制成。

8.根据权利要求7所述的基底,其特征在于,所述颗粒复合材料具有大小在1nm和20nm之间的分散体。

9.根据权利要求7或8所述的基底,其特征在于,所述颗粒复合材料具有金属基体。

10.根据权利要求9所述的基底,其特征在于,所述颗粒复合材料具有球体的分散体。

11.根据权利要求9或10所述的基底,其特征在于,所述金属基体为铜基体或铝基体。

12.根据权利要求7或8所述的基底,其特征在于,所述颗粒复合材料具有陶瓷基体。

13.根据权利要求12所述的基底,其特征在于,所述陶瓷基体为具有碳化硅分散体的硅基体或碳基体。

14.一种用于EUV光刻的反射镜的包含基础体的基底,其特征在于,所述基础体(2)由合金系的金属间相制成。

15.根据权利要求14所述的基底,其特征在于,所述基础体(2)由其中观察到化学计量标准组成的金属间相制成。

16.根据权利要求14或15所述的基底,其特征在于,所述基础体(2)由具有对应于所述合金系的相图中的相稳定线的组成的金属间相制成。

17.根据权利要求14至16中任一项所述的基底,其特征在于,所述合金具有在相应的合金系的相图中位于由相稳定线定界的区域中的组成。

18.根据权利要求14至17中任一项所述的基底,其特征在于,所述金属间相在晶体形式具有与其成分相同的布拉伐晶格。

19.根据权利要求14至18中任一项所述的基底,其特征在于,所述合金系为二元系,该二元系的一个成分是铜。

20.根据权利要求14至19中任一项所述的基底,其特征在于,所述合金系为二元铝-铜系。

21.根据权利要求1至20中任一项所述的基底,其特征在于,所述基础体(2)的材料具有面心立方结构。

22.根据权利要求1至21中任一项所述的基底,其特征在于,在一年的时间内,在温度从20℃变化至150℃的情况下,所述基础体(2)的材料的微结构不发生变化。

23.根据权利要求1至22中任一项所述的基底,其特征在于,抛光层(3)布置在所述基础体(2)上。

24.根据权利要求1至23中任一项所述的基底,其特征在于,在所述基础体(2)和所述抛光层(3)之间布置附着促进层(4)。

25.一种用于EUV投射曝光设备的反射镜,包含根据权利要求1至22中任一项所述的基底(1)以及在所述基底(1)上的高反射层(6)。

26.一种用于EUV投射曝光设备的反射镜,包含根据权利要求23或24所述的基底(1)以及在所述抛光层(3)上的高反射层(6)。

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