[发明专利]从存储器输出特定数据量化

说明书

技术领域

本发明大体上涉及半导体存储器装置、方法及系统，且更特定来说，涉及用于从存储器输出特定数据量化的方法、装置及系统。

背景技术

通常提供存储器装置作为计算机或其它电子装置中的内部电路、半导体电路、集成电路及/或外部可抽换式装置。除了其它之外，还存在许多不同类型存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、相变随机存取存储器(PCRAM)及快闪存储器。

快闪存储器装置可被用作宽范围的电子应用的易失性存储器及非易失性存储器。快闪存储器装置通常使用允许高存储器密度、高可靠度及低功耗的单晶体管存储器单元。使用快闪存储器除了其它电子装置外还包含用于固态硬盘(SSD)、个人计算机、个人数字助理(PDA)、数码相机、蜂窝式电话、可携式音乐播放器(例如，MP3播放器)及电影播放器的存储器。例如程序代码、用户数据及/或系统数据(例如基本输入/输出系统(BIOS))等数据通常存储在快闪存储器装置中。

两种常见类型快闪存储器阵列架构是“NAND”及“NOR”架构，所谓其中布置各架构之基本存储器单元配置的逻辑形式。NAND阵列架构将其存储器单元阵列布置成矩阵，使得所述阵列的“行”中的每一存储器单元的控制栅极耦合到(且在一些情况中形成)存取线，所述存取线在所属领域中通常被称为“字线”。然而，每一存储器单元并非通过其漏极直接耦合到数据线(其在所属领域中通常被称为数据线，例如，位线)。反而，所述阵列的存储器单元在共同源极与数据线之间源极到漏极串联耦合在一起，其中共同耦合到特定数据线的存储器单元被称为“列”。

NAND阵列架构中的存储器单元可被编程为目标(例如，所要)状态。例如，电荷可被置于存储器单元的电荷存储节点上或从所述电荷存储节点移除电荷，以将所述存储器单元置于若干编程状态中的一者。例如，单电平存储器单元(SLC)可表示两种状态，例如，1或0。快闪存储器单元还可存储两种以上状态，例如，1111、0111、0011、1011、1001、0001、0101、1101、1100、0100、0000、1000、1010、0010、0110及1110。这些存储器单元可被称为多电平存储器单元(MLC)。MLC可在不增加存储器单元数目的情况下容许较高密度存储器的制造，这是因为每一存储器单元可表示一个以上数字，例如，一个以上位。例如，能够表示四个数字的存储器单元可具有十六种编程状态。

感测操作(例如，读取及/或程序验证操作)使用感测电压来确定快闪存储器单元的状态。然而，若干机制(例如读取干扰、编程干扰及/或电荷损耗(例如，电荷泄漏))可导致所述存储器单元的电荷存储节点上的所存储的电荷(例如，阈值电压(Vt))偏移。提供关于选定存储器单元上存储的电荷的更多细节(例如，软数据)的感测操作可用以有助于校正偏移Vt。

发明内容

附图说明

图1说明根据本发明的一项或一项以上实施例的非易失性存储器阵列的一部分的示意图。

图2说明根据本发明的一项或一项以上实施例的存储器架构的框图。

图3到5说明根据本发明的一项或一项以上实施例的感测电路的示意图。

图6说明具有根据本发明的一项或一项以上实施例操作的存储器装置的电子存储器系统的框图。

具体实施方式

本发明包含用于从存储器装置及系统输出数据特定数据量化的方法、装置及系统。输出数据特定数据量化可包含启用多个不同数据量化中的特定者。接着可输出所述多个数据量化中的所述特定者。

如本文将进一步描述，与存储器单元相关联的软数据可指示所述存储器单元的阈值电压(Vt)在表示编程所述存储器单元的目标状态的Vt分布中的位置。此外，如本文将进一步描述，与存储器单元相关联的软数据可指示所述存储器单元的Vt是否对应于编程所述存储器单元的目标状态的机率。如本文将进一步描述，相比而言，对应于存储器单元通过感测操作确定的数据状态的数据可被称为硬数据。

与输出硬数据及软数据两者相比，本发明的实施例可输出(例如，选择性地输出)硬数据而不输出软数据以减小I/O流量。所述软数据仍可用以促进存储器单元的精确感测，且可用以调整存储器单元的感测，例如，当施加斜坡感测信号到选定存储器单元的控制栅极时提供的计数与所述硬数据之间的对应。