[发明专利]透明导电性薄膜

说明书

技术领域

本发明涉及使用了铟锡氧化物（Indium Tin Oxide：ITO）膜的透明导电性薄膜。

背景技术

已知有在玻璃基板上具有铟锡氧化物（Indium Tin Oxide：ITO）的3层膜的透明电极板（例如专利文献1：日本特开平8-43840）。专利文献1的透明电极板中，第1层和第3层的铟锡氧化物的氧化锡（SnO₂）含量比第2层的铟锡氧化物的氧化锡含量多。由此可以降低透明电极板的表面电阻值。

由于铟锡氧化物的溅射膜为非晶质，在刚成膜的状态（as deposition）下表面电阻值高。为了降低表面电阻值，需要对铟锡氧化物进行加热处理（结晶化处理）从而使其结晶化。专利文献1中，结晶化处理的温度和时间为例如200℃、60分钟。

但是，使用薄膜基材代替玻璃基板时，薄膜基材的耐热性低，因此无法在像玻璃基板时那样的高温度（200℃左右）下进行结晶化处理。因此，使用薄膜基材时，存在以以往的铟锡氧化物的3层膜的构成不能进行铟锡氧化物的结晶化处理、或者结晶化处理非常耗费时间的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平8-43840号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明的目的在于，对在薄膜基材上形成有铟锡氧化物膜的透明导电性薄膜，在薄膜基材的耐热温度以下的低温（例如140℃）下，在短时间（例如60分钟）内进行铟锡氧化物的结晶化处理，使表面电阻值降低（例如为200Ω/□以下）。

用于解决问题的方案

（1）本发明的透明导电性薄膜具备：具有2个主面的薄膜基材、和形成于薄膜基材的一个主面的透明导电膜。透明导电膜为从薄膜基材侧起依次层叠有第一铟锡氧化物层、第二铟锡氧化物层和第三铟锡氧化物层的3层膜。第一铟锡氧化物层的氧化锡含量比第二铟锡氧化物层的氧化锡含量少。第三铟锡氧化物层的氧化锡含量比第二铟锡氧化物层氧化锡含量少。

（2）本发明的透明导电性薄膜中，第一铟锡氧化物层的厚度比第二铟锡氧化物层的厚度薄。第三铟锡氧化物层的厚度比第二铟锡氧化物层的厚度薄。

（3）本发明的透明导电性薄膜中，第一铟锡氧化物层的氧化锡的含量为1重量%～5重量%。第二铟锡氧化物层的氧化锡的含量为6重量%～15重量%。第三铟锡氧化物层的氧化锡的含量为1重量%～5重量%。

（4）本发明的透明导电性薄膜中，第二铟锡氧化物层的氧化锡的含量与第一铟锡氧化物层的氧化锡的含量之差为3重量%～10重量%。第二铟锡氧化物层的氧化锡的含量与第三铟锡氧化物层的氧化锡的含量之差为3重量%～10重量%。

（5）本发明的透明导电性薄膜中，第一铟锡氧化物层的厚度为1nm～10nm。第二铟锡氧化物层的厚度超过10nm且为30nm以下。第三铟锡氧化物层的厚度为1nm～10nm。

（6）本发明的透明导电性薄膜中，第二铟锡氧化物层的厚度与第一铟锡氧化物层的厚度之差为2nm～20nm。第二铟锡氧化物层的厚度与第三铟锡氧化物层的厚度之差为2nm～20nm。

（7）本发明的透明导电性薄膜中，透明导电膜的第一铟锡氧化物层、第二铟锡氧化物层和第三铟锡氧化物层分别为通过对铟锡氧化物的非晶质层进行加热处理使其结晶化而成的结晶质层。

（8）本发明的透明导电性薄膜中，透明导电膜的厚度（第一铟锡氧化物层的厚度+第二铟锡氧化物层的厚度+第三铟锡氧化物层的厚度）为14nm～50nm。

（9）本发明的透明导电性薄膜中，薄膜基材的材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚环烯烃或聚碳酸酯。

（10）本发明的透明导电性薄膜中，薄膜基材的厚度为10μm～200μm。

发明的效果

根据本发明，对在薄膜基材上形成有铟锡氧化物膜的透明导电性薄膜，可以在低温（例如结晶化温度为140℃）下、在短时间（例如结晶化时间为60分钟）内进行铟锡氧化物的结晶化处理，使表面电阻值降低（例如为200Ω/□以下）。

附图说明

图1为本发明的透明导电性薄膜的截面示意图。

具体实施方式

[本发明的透明导电性薄膜]