[发明专利]包含量子点荧光体的组合物、量子点荧光体分散树脂成型体、包含量子点荧光体的结构物、发光装置、电子设备、机械装置及量子点荧光体分散树脂成型体的制造方法有效
申请号: | 201280006414.4 | 申请日: | 2012-01-16 |
公开(公告)号: | CN103328605A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 内田博;安田刚规;藤田俊雄 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | C09K11/02 | 分类号: | C09K11/02;H01L23/29;H01L23/31;H01L33/50;H01L33/56 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 段承恩;田欣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包含 量子 荧光 组合 分散 树脂 成型 结构 发光 装置 电子设备 机械 制造 方法 | ||
1.一种组合物,其特征在于,是以浓度0.01质量%~20质量%的范围使量子点荧光体分散在环烯烃(共)聚合物中而得的。
2.根据权利要求1所述的组合物,其特征在于,所述环烯烃(共)聚合物以式(1)或式(2)表示,
这里,式(1)中的R3表示选自氢原子、碳原子数1~6的直链状或支链状的饱和烃基(烷基)、或者卤原子氯或氟、卤原子为氯原子或氟原子的三卤代甲基中的一价基团,式(1)中的R4、R5各自独立地表示选自氢原子、碳原子数1~6的直链状或支链状的饱和烃基、或者卤原子氯或氟、卤原子为氯原子或氟原子的三卤代甲基中的一价基团,此外,R4或R5的烃基可以在相邻取代部位相互结合而形成5~7元环的饱和烃的环状结构至少1个以上,这里,x、y为大于0且小于1的实数,具有x+y=1的范围,
此外,式(2)中的R1、R2各自独立地表示选自氢原子、碳原子数1~6的直链状或支链状的饱和烃基、或者卤原子氯或氟、卤原子为氯原子或氟原子的三卤代甲基中的一价基团,此外,R1、R2的烃基可以在相邻取代部位相互结合而形成5~7元环的饱和烃的环状结构至少1个以上,这里,r为正整数。
3.一种量子点荧光体分散树脂成型体,其特征在于,是使权利要求1或2所述的包含量子点荧光体的组合物形成成型物而得的。
4.根据权利要求3所述的量子点荧光体分散树脂成型体,其特征在于,所述成型物为膜、或至少一部分具有凸状部的膜、或透镜。
5.一种包含量子点荧光体的结构物,其特征在于,具备:
权利要求3所述的量子点荧光体分散树脂成型体;和
被覆所述量子点荧光体分散树脂成型体的一部分面或整面,降低氧气对所述量子点分散树脂成型体的透过的阻气层。
6.根据权利要求5所述的包含量子点荧光体的结构物,其特征在于,所述阻气层由乙烯-乙烯醇共聚树脂或聚偏1,1-二氯乙烯的层构成,或者由在乙烯-乙烯醇共聚树脂或聚偏1,1-二氯乙烯的层的至少一面上形成有二氧化硅膜或氧化铝膜的层构成。
7.一种发光装置,其特征在于,是将权利要求1或2所述的包含量子点荧光体的组合物用于LED芯片的密封材的至少一部分而得的。
8.根据权利要求7所述的发光装置,其特征在于,将包含量子点荧光体的组合物用于LED芯片的密封材的至少一部分,该密封材的厚度为0.01mm以上且小于0.4mm。
9.根据权利要求7或8所述的发光装置,其特征在于,在密封材的上部,还配置有权利要求4所述的量子点荧光体分散树脂成型体。
10.根据权利要求7或8所述的发光装置,其特征在于,在密封材的上部,还配置有降低氧气对所述密封材的透过的阻气层。
11.一种电子设备,其特征在于,组装有权利要求7~10的任一项所述的发光装置。
12.一种机械装置,其特征在于,组装有权利要求11所述的电子设备。
13.一种量子点荧光体分散树脂成型体的制造方法,其特征在于,具备下述工序:
调制在溶剂中溶解有环烯烃(共)聚合物的溶液的工序;
在所述溶液中,以使所述成型体中的量子点荧光体的浓度为0.01质量%~20质量%的范围的方式,使量子点荧光体分散在分散介质中,接着进行混炼,来制造包含量子点荧光体的组合物的工序;和
将所述包含量子点荧光体的组合物涂布在基材上或填充至模具中,进行加热干燥的工序。
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