[发明专利]氧化物型半导体材料及溅镀靶有效
| 申请号： | 201280006660.X | 申请日： | 2012-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN103582953A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 德地成纪;石井林太郎;附田龙马;久保田高史;高桥广己 | 申请（专利权）人： | 三井金属矿业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/363;C01G19/00 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体材料 溅镀靶 | ||
【权利要求书】：
1.一种氧化物型半导体材料，其特征在于包含Zn氧化物及Sn氧化物，并含有Mg、Ca、La、Y中的任一种以上作为掺杂剂，该掺杂剂的含量是相对于作为金属元素的Zn、Sn、掺杂剂的各原子数合计的掺杂剂的原子比为0.09以下。
2.根据权利要求1所述的氧化物型半导体材料，其特征在于，在设Zn的金属元素原子数为A、Sn的金属元素原子数为B的情形下，是以A/(A+B)=0.4至0.8的比例含有Zn与Sn。
3.根据权利要求1或2所述的氧化物型半导体材料，其特征在于，还含有Zr作为掺杂剂。
4.一种薄膜晶体管，其特征在于使用根据权利要求1至3中任一权利要求所述的氧化物型半导体材料所形成的底栅极型或顶栅极型薄膜晶体管。
5.一种溅镀靶，是用以使通过权利要求1或2所述的氧化物型半导体材料所形成的薄膜成膜，其特征在于包含Zn氧化物及Sn氧化物，并含有Mg、Ca、La、Y中的任一种以上作为掺杂剂；
该掺杂剂的含量，是相对于作为金属元素的Zn、Sn、掺杂剂的各原子数合计的掺杂剂的原子比为0.09以下。
6.根据权利要求5所述的溅镀靶，其特征在于，在设Zn的金属元素原子数为A，Sn的金属元素原子数为B的情形下，是以A/(A+B)=0.4至0.8的比例含有Zn与Sn。
7.根据权利要求5或6所述的溅镀靶，其特征在于，还含有Zr作为掺杂剂。
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