[发明专利]光学信息记录介质及其制造方法

权利要求书

1.一种光学信息记录介质，包括：

基板；

形成在所述基板上的一层或两层以上的信息信号层；以及

形成在所述一层或两层以上的信息信号层上的保护层，其中

所述保护层的表面是读取表面，用于在所述信息信号层中记录信息信号或再生所述信息信号层中的信息信号的光照射到所述读取表面上，和

形成在所述读取表面中的多个次波长构造体。

2.根据权利要求1所述的光学信息记录介质，其中

所述次波长构造体的布置节距是470nm以下，以及

所述次波长构造体的高度是80nm以上且200nm以下。

3.一种光学信息记录介质，包括：

第一基板；

形成在所述第一基板上的一层或两层以上的信息信号层；以及

形成在所述一层或两层以上的信息信号层上的第二基板，其中

所述第二基板的表面是读取表面，用于在所述信息信号层中记录信息信号或再生所述信息信号层中的信息信号的光照射到所述读取表面上，和

在所述读取表面中形成多个次波长构造体。

4.根据权利要求3所述的光学信息记录介质，其中

所述次波长构造体的布置节距是750nm以下，以及

所述次波长构造体的高度是80nm以上且240nm以下。

5.一种光学信息记录介质，包括：

基板；

形成在所述基板上的一层或两层以上的信息信号层；以及

形成在所述一层或两层以上的信息信号层上的保护层，其中

所述基板的表面是读取表面，用于在所述信息信号层中记录信息信号或再生所述信息信号层中的信息信号的光照射到所述读取表面上，和

在所述读取表面中形成多个次波长构造体。

6.根据权利要求5所述的光学信息记录介质，其中

所述次波长构造体的布置节距是900nm以下，以及

所述次波长构造体的高度是100nm以上且300nm以下。

7.根据权利要求1到6中任一项所述的光学信息记录介质，其中

所述多个次波长构造体被布置为形成多列磁道，以及

所述磁道具有同心形状、螺旋形状、或线性形状。

8.根据权利要求7所述的光学信息记录介质，其中，所述多个次波长构造体形成六方栅格图案、半六方栅格图案、四方栅格图案、或半四方栅格图案。

9.根据权利要求7所述的光学信息记录介质，其中，所述磁道是摆动的。

10.根据权利要求1、3、或5所述的光学信息记录介质，其中，用于记录或再生所述信息信号的光的波长λ与所述次波长构造体的高度H的比率（λ/H）是2以上且6以下。

11.根据权利要求1、3、或5所述的光学信息记录介质，其中，所述次波长构造体的上部的平坦部分直径R与所述次波长构造体的布置节距P的比率（R/P）是0以上且0.7以下。

12.一种光学信息记录介质，包括：

读取表面，用于记录或再生信息信号的光照射到所述读取表面上，

其中，在所述读取表面中形成多个次波长构造体。

13.一种制造光学信息记录介质的方法，包括：将用于形成读取表面的母盘的形状转印到树脂材料，以及形成表面上形成有多个次波长构造体的基板或保护层，

其中，所述基板或所述保护层的表面是读取表面，用于记录或再生信息信号的光照射到所述读取表面上。