[发明专利]电晕处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种对薄膜状的被电晕处理物的表面进行电晕处理的方法。

背景技术

专利文献1、2中记载有通过对偏光膜等的表面进行电晕处理而使其表面活化的技术。电晕处理通常是如下进行的，即，通过将由高频电源供给的高频/高电压输出施加于电晕处理装置所具备的放电电极与接地辊之间来产生电晕放电，在该电晕放电下使偏光膜等薄膜（被电晕处理物）通过。

然而，若长期进行电晕处理，则存在结晶状异物附着于薄膜（被电晕处理物）上而使成品率下降的问题。

另一方面，已知因电晕放电而导致生成臭氧及氮氧化物（NO_X）的情况（例如，参考专利文献3）。专利文献3中，通过使用具有规定结构的电晕处理装置来减少臭氧及氮氧化物（NO_X）的产生量。

然而，专利文献3中所记载的电晕装置在抑制上述长期进行电晕处理时的结晶状异物附着这一方面未必一定得到充分满足。另外，专利文献3中，在电晕处理装置必须成为规定结构这一方面，也存在无法简单地进行电晕处理的问题。

专利文献

专利文献1：日本特开2005-213314号公报

专利文献2：日本特开2009-8860号公报

专利文献3：日本专利第4194766号公报

发明内容

本发明的课题在于提供一种能够长期稳定地进行电晕处理的方法。

本发明人等为了解决上述课题而反复进行了深入研究，结果发现以下见解。

即，对附着于电晕处理结束后的薄膜（被电晕处理物）上的结晶状异物进行了分析，结果该结晶状异物为草酸、草酸盐、草酸铵、硝酸铝、硝酸铵等。

本发明人等对这些结晶状异物的来源进行了反复研讨。其结果，得到如下见解，即，这些结晶状异物是随着电晕放电的进行而蓄积于电晕处理装置的，其是落下并附着于薄膜（被电晕处理物）上的异物。而且，基于该见解而进一步反复进行了深入研究，结果发现若将电晕处理装置配置成电晕处理装置所具备的电极罩的开口部成为特定方向，则能够抑制被蓄积于电晕处理装置的结晶状异物落下并附着于薄膜（被电晕处理物），以至完成本发明。

即，本发明的电晕处理方法包括以下构成。

（1）一种电晕处理方法，为在电晕处理装置所具备的放电电极与接地辊之间产生电晕放电且在该电晕放电下介由所述接地辊而使薄膜状的被电晕处理物通过并对所述被电晕处理物的表面进行电晕处理的方法，其中，所述电晕处理装置进一步具备电极罩，该电极罩覆盖所述放电电极，并且在所述接地辊侧具有开口部，将所述电晕处理装置配置成使该电极罩的开口部成为朝向横向乃至上方。

（2）所述（1）记载的电晕处理方法，其中，所述电晕处理装置由耐腐蚀性部件构成。

（3）所述（1）或（2）记载的电晕处理方法，其中，所述电晕处理装置的表面被施以耐腐蚀处理。

（4）所述（1）至（3）中任一项记载的电晕处理方法，其中，所述电极套由透明性部件构成。

（5）所述（1）至（4）中任一项记载的电晕处理方法，其中，所述薄膜状的被电晕处理物为选自光学膜及保护膜中的至少一种。

（6）所述（1）至（5）中任一项记载的电晕处理方法，其中，所述薄膜状的被电晕处理物的长度为1万米以上。

应予说明，本发明中的所述“接地辊”只要是具有在与放电电极之间产生电晕放电且在该电晕放电下使薄膜状的被电晕处理物通过的功能的辊即可，还包括所谓被称为处理辊或后辊等的辊。

本发明中的所述“薄膜状”并非只限于薄膜状，只要无损于本发明的效果，也包括薄膜状乃至薄片状的概念。

另一方面的发明为对薄膜的表面进行电晕处理的方法，其具备：

在放电电极与接地辊之间产生电晕放电的工序：及

在所述电晕放电下，使薄膜在所述接地辊上移动的工序，

所述放电电极被电极罩覆盖，

所述电极罩在所述接地辊侧具有开口部，

所述电极罩的开口部朝向横向、斜上方或上方。

在此，优选所述放电电极、所述接地辊及所述电极罩中的至少一个具有耐腐蚀性部件。

另外，还优选所述放电电极、所述接地辊及所述电极罩中的至少一个的表面被施以耐腐蚀处理。

另外，还优选由所述电极罩所包围的空间内的气体通过排气管进行排气，所述排气管具有耐腐蚀性部件或所述排气管的表面被施以耐腐蚀处理。

另外，还优选所述放电电极被电极夹保持，所述电极夹具有耐腐蚀性部件或所述电极夹的表面被施以耐腐蚀处理。