[发明专利]制备SOI晶片的方法在审
| 申请号： | 201280006999.X | 申请日： | 2012-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN103339710A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 秋山昌次 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 曹正建;陈桂香 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 soi 晶片 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备SOI晶片的方法，其包括以下步骤：
通过键合方法在操作基板上形成单晶硅层，以获得键合基板，所述操作基板是从具有800℃以上的耐热温度的材料中选择出的；
在所述键合基板的所述单晶硅层上沉积非晶硅；及
在800℃以上的温度下加热所述沉积之后的所述键合基板。
2.如权利要求1所述的制备SOI晶片的方法，其中所述操作基板为石英基板，且所述加热的温度低于1200℃。
3.如权利要求1所述的制备SOI晶片的方法，其中所述操作基板为蓝宝石基板，且所述加热的温度低于1300℃。
4.如权利要求1所述的制备SOI晶片的方法，其中所述操作基板的材料为硅、具有氧化膜的硅、碳化硅或氮化铝。
5.如权利要求1-4中任一项所述的制备SOI晶片的方法，其中所述沉积的步骤包括低压化学气相沉积、物理气相沉积或等离子体增强化学汽相淀积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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