[发明专利]化合物半导体单晶基板及其制造方法

权利要求书

1.一种化合物半导体单晶基板的制造方法，具有以下步骤：

准备由化合物半导体构成的单晶晶锭的步骤，该化合物半导体使用水平舟法在(111)方向上形成；

由夹具固定上述晶锭的步骤；以及

对由上述夹具固定的上述晶锭，使用线锯以(100)±7°或(511)±7°的面取向，在将上述线锯的锯线在(01-1)方向往复进给的同时使由上述夹具固定的上述晶锭在和上述锯线的往复方向正交的方向上升，而进行切片的步骤。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体单晶基板的制造方法，其中，在上述切片的步骤中，使用在一对辊之间张紧的上述锯线，进而以使上述晶锭的外形呈面对称的方式配置上述晶锭，该面对称以通过上述一对辊之间的中间点并向相对上述锯线的延伸方向垂直的方向延伸的平面为对称面。

3.根据权利要求1或2所述的化合物半导体单晶基板的制造方法，其中，

在由上述夹具固定的步骤中，在上述晶锭的表面配置辅助部件，上述晶锭的上述表面是在上述晶锭即将被切片之前和上述锯线相对的表面，

在上述切片的步骤中，上述锯线在接触上述晶锭之前先接触上述辅助部件的表面，上述辅助部件的上述表面与沿着上述锯线的延伸方向并且垂直于上述锯线相对上述晶锭的移动方向的面平行。

4.根据权利要求1至3的任意一项所述的化合物半导体单晶基板的制造方法，其中，

上述晶锭包括在晶体生长时不与容器接触的自由面，

在上述切片的步骤中，以使上述晶锭的上述自由面在沿着上述线锯的延伸方向的方向上延伸的方式配置上述晶锭。

5.一种化合物半导体单晶基板，使用权利要求1所述的化合物半导体单晶基板的制造方法制造而成。

6.根据权利要求5所述的化合物半导体单晶基板，其厚度是300μm以下。

7.根据权利要求5或6所述的化合物半导体单晶基板，其翘曲是15μm以下。