[发明专利]系统、CMOS上激光器芯片以及用于设置将由CMOS上激光器芯片使用的波长的方法

权利要求书

1. 一种系统，包括：

具有至少一个光端口的第一系统，每个光端口包括配置成生成反向归零线路编码的下行流数据信号的下行流光传送器以及配置成接收归零线路编码的上行流数据信号的上行流光接收器；

具有至少一个集成光端口的CMOS（互补金属氧化物半导体）上激光器芯片，每个光端口包括下行流光接收器和上行流反射光生成器件，所述下行流光接收器配置成接收所述反向归零线路编码的下行流数据信号的第一部分，所述上行流反射光生成器件配置成接收所述反向归零线路编码的下行流数据信号的第二部分并且使用归零编码电子数据信号和所述反向归零线路编码的下行流数据信号中的脉冲来调制并且传送所述归零线路编码的上行流数据信号，使得所述反向归零线路编码的下行流数据信号光学地供种所述归零线路编码的上行流数据信号，从而导致所述反向归零线路编码的下行流数据信号和所述归零线路编码的上行流数据信号各自具有相同波长；以及

光纤，被耦合在所述第一系统与所述CMOS上激光器芯片之间并且配置成在其间传送所述反向归零线路编码的下行流数据信号和所述归零线路编码的上行流数据信号。

2. 如权利要求1所述的系统，其中，所述上行流反射光生成器件生长在所述CMOS上激光器芯片的CMOS材料上。

3. 如权利要求1所述的系统，其中，反射半导体光放大器具有与其上的抗反射涂层的光纤接口。

4. 如权利要求1所述的系统，其中，配置成接收所述反向归零线路编码的下行流数据信号的第一部分的所述下行流光接收器是正-本征-负(PIN)光电检测器。

5. 如权利要求1所述的系统，其中，所述CMOS上激光器芯片还包括信号同步器，所述信号同步器将所述归零线路编码的上行流数据信号相对进来的反向归零线路编码的下行流数据信号交错半比特。

6. 如权利要求1所述的系统，其中：

所述第一系统包括经由多个光纤耦合到波分复用(WDM)复用器的多个光端口；以及

所述CMOS上激光器芯片包括经由多个光纤耦合到波分复用(WDM)复用器的多个光端口，其中所述光纤耦合在所述WDM复用器之间，其中所述第一系统的所述多个光端口和所述CMOS上激光器芯片的所述多个光端口具有在相同波长操作的多对光端口，并且其中所述光端口的每对相比与所述光端口的其它对在不同的波长操作。

7. 一种CMOS（互补金属氧化物半导体）上激光器芯片，包括：

至少一个集成光端口，每个光端口包括：

下行流光接收器，配置成接收反向归零线路编码的下行流数据信号的第一部分；以及

上行流反射光生成器件，配置成接收所述反向归零线路编码的下行流数据信号的第二部分并且使用归零编码电子数据信号和所述反向归零线路编码的下行流数据信号中的脉冲来调制并且传送归零线路编码的上行流数据信号，使得所述反向归零线路编码的下行流数据信号光学地供种所述归零线路编码的上行流数据信号，从而导致所述反向归零线路编码的下行流数据信号和所述归零线路编码的上行流数据信号各自具有相同波长。

8. 如权利要求7所述的CMOS上激光器芯片，其中，所述上行流反射光生成器件生长在所述CMOS上激光器芯片的CMOS材料上。

9. 如权利要求7所述的CMOS上激光器芯片，其中，反射半导体光放大器具有与其上的抗反射涂层的光纤接口。

10. 如权利要求7所述的CMOS上激光器芯片，其中，所述下行流光接收器是正-本征-负(PIN)光电检测器。

11. 如权利要求7所述的CMOS上激光器芯片，还包括信号同步器，所述信号同步器将所述归零线路编码的上行流数据信号相对进来的反向归零线路编码的下行流数据信号交错半比特。

12. 一种用于设置将由CMOS（互补金属氧化物半导体）上激光器芯片上集成的光端口所使用的波长的方法，由所述CMOS上激光器芯片实现的所述方法包括如下步骤：

在所述光端口接收反向归零线路编码的下行流数据信号；

使用归零编码电子数据信号和所述反向归零线路编码的下行流数据信号中的脉冲来调制归零线路编码的上行流数据信号；以及

从所述光端口传送所述归零线路编码的上行流数据信号，其中所述反向归零线路编码的下行流数据信号和所述归零线路编码的上行流数据信号各自具有相同波长。