[发明专利]层积铁芯及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种通过填塞（caulk）并层积给定形状的铁芯片而形成的层积铁芯及其制造方法。

背景技术

已知用作电机的芯子或定子的层积铁芯。作为层积铁芯，已知通过层积环形铁芯片而形成并主要用于小电机的层积铁芯、或通过层积多个分割铁心片而形成的层积铁芯，该多个分割铁芯片通过分割环形铁芯片而获得(例如，参见专利文献1和2)。

用于一般的层积铁芯的多个铁芯片或分割铁芯片分别包括将在层积方向上相互邻接的铁芯片或分割铁芯片机械地连接到一起的填塞部。此外，相比于环形铁芯片，在专利文献1和2中公开的构成层积铁芯的分割铁芯片分别包括大量的填塞部。因而，分割铁芯片被更稳固地连接到一起。

图8A是用作传统的内转子型电机的定子的分割型层积铁芯70的平面图，图8B是用于图8A所示的层积铁芯70的分割层积铁芯71的平面图，并且图8C是沿着图8B所示的C-C线截取的截面图。此外，图8D是用作传统的外转子型电机的定子的非分割型层积铁芯75的平面图。

如图8A和图8B所示，用作内转子型电机的定子的层积铁芯70通过将多个分割层积铁芯71组合到一起而构成，而分割层积铁芯71通过层积多个分割铁芯片60而构成。分割铁芯片60包括磁极轴片61和分割轭部62。分割轭部62形成层积铁芯70的环形轭部72的一部分，而磁极轴片61形成从轭部72朝着层积铁芯70的内周突出的磁极轴部73。

在该分割铁芯片60中，磁极轴片61包括填塞部63，而分割轭部62包括三个填塞部64、65和66。这些填塞部63、64、65和66尺寸和形状相同。

如图8C所示，填塞部63、64、65和66形成为朝着层积方向上的一侧突出；并且，每个填塞部包括在层积方向的一侧上的突出子部68和在层积方向的另一侧上的凹进子部67。填塞部63、64、65和66的突出子部68配合到位于层积方向的一侧上的分割铁芯片60的凹进子部67中，由此将在层积方向上相互邻接的分割铁心片60彼此连接。

此外，如图8D所示，类似地，在用作外转子型电机的定子的非分割型层积铁芯75中，该非分割型层积铁芯75的磁极轴片75和轭片分别包括尺寸和形状相同的填塞部77、79。

引证列表：

专利文献：

专利文献1：日本特开JP-A-2008-113498

专利文献1：日本特开JP-A-2008-206262

发明内容

技术问题：

在此，由于填塞部63、64、65和66的突出子部68接合到凹进子部67中，所以在层积方向上相互邻接的分割铁芯片60中形成了导通电路。由于该导通电路与层积铁芯70的磁通的方向垂直，所以该导通电路在分割铁芯片60中产生涡电流，由此产生涡电流损耗。

如上所述，由于具有相同尺寸和形状的填塞部63、64、65和66形成在传统的层积铁芯70中，所以尤其地在该传统的层积铁芯70的高磁通密度区域中，存在可能产生的大的涡电流电可能性。这产生过量的涡电流电损耗，该过量的涡电流电损耗引起电功率的损耗并且提高层积铁芯的温度上升。此外，填塞部63、64、65和66的形成减小了供分割铁芯片的磁通通过的区域，由此铁芯片的磁通密度接近其饱和磁通密度，引起了层积铁芯70不能产生其真实电磁功率的担心。

鉴于以上所述研制本发明。因而，本发明的目的是提供一种层积铁芯及其制造方法，该层积铁芯能确保其各个铁芯片的层积强度，能提供良好的磁效率并能降低损耗。

问题的解决方案：

为了达到目的，本发明提供一种层积铁芯，包括：彼此填塞并层积的多个铁芯片；第一填塞部，该第一填塞部形成在每个铁芯片中的如下区域中：穿过该区域的磁通密度高于穿过其他区域的磁通密度；以及第二填塞部，该第二填塞部形成在铁芯片的其他区域中，其中，在层积方向上相互邻接的铁芯片的第一填塞部的接合面积A小于在层积方向上相互邻接的第二填塞部的接合面积B。

根据本发明，层积铁芯还可构造成使得当从上方观察时第一和第二填塞部每一者都具有矩形形状，并且第一和第二填塞部每一者都具有包括底部和隔着该底部彼此相对的两个倾斜部的V形形状。

根据本发明，层积铁芯还可构造成使得第一填塞部的纵向方向面对磁通的方向。

根据本发明，层积铁芯还可构造成使得第一填塞部的填塞深度小于第二填塞部的填塞深度，由此第一填塞部的接合面积A被设定成小于第二填塞部的接合面积B。