[发明专利]包括高场区的半导体器件及相关方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

位于硅层中的P阱中的N阱，所述硅层位于绝缘体上硅（SOI）衬底的掩埋氧化物层顶上；

位于所述P阱的一部分中的第一源极区和第二源极区；

位于所述P阱的一部分中并位于所述N阱的一部分中的第一漏极区和第二漏极区；以及

位于所述N阱顶上的栅极，其中在所述N阱与所述P阱之间产生横向高场区并且在所述栅极与所述N阱之间产生垂直高场区。

2.根据权利要求1的半导体器件，进一步包括位于所述硅层的顶表面上并且基本上围绕所述栅极的第一和第二升高的源极区。

3.根据权利要求2的半导体器件，进一步包括位于所述第一和第二升高的源极区与所述栅极之间的第一和第二电介质间隔物。

4.根据权利要求1的半导体器件，其中所述第一和第二源极区是N型掺杂的。

5.根据权利要求1的半导体器件，其中所述第一和第二漏极区是N型掺杂的。

6.根据权利要求1的半导体器件，其中所述P阱的第一部分位于所述第一源极区与所述掩埋氧化物层之间，并且所述P阱的第二部分位于所述第二源极区与所述掩埋氧化物层之间。

7.根据权利要求1的半导体器件，其中所述第一和第二漏极区基本上垂直于所述第一和第二源极区。

8.根据权利要求1的半导体器件，其中所述栅极在所述P阱以及所述第一和第二源极区之上延伸。

9.根据权利要求1的半导体器件，进一步包括位于所述栅极与所述N阱之间的栅极氧化物。

10.一种结构，包括：

绝缘体上硅（SOI）衬底，所述衬底包括位于掩埋氧化物层顶上的硅层；

位于所述硅层中的P阱内的N阱；

位于所述P阱的一部分中的第一和第二N掺杂的源极区；

位于所述P阱的一部分中并位于所述N阱的一部分中的第一和第二N掺杂的漏极区，其中所述第一和第二N掺杂的漏极区基本上垂直于所述第一和第二N掺杂的源极区；

与所述第一和第二N掺杂的源极区邻近地位于所述硅层中的第一和第二P掺杂的接触区；以及

位于所述N阱顶上的栅极，其中在所述N阱与所述P阱之间产生横向高场区并且在所述栅极与所述N阱之间产生垂直高场区。

11.根据权利要求10的结构，进一步包括位于所述硅层的顶表面上并且基本上围绕所述栅极的第一和第二升高的源极区。

12.根据权利要求10的结构，其中所述P阱的第一部分位于所述第一N掺杂的源极区与所述掩埋氧化物层之间，并且所述P阱的第二部分位于所述第二N掺杂的源极区与所述掩埋氧化物层之间。

13.根据权利要求10的结构，其中所述栅极在所述P阱以及所述第一和第二N掺杂的源极区之上延伸。

14.根据权利要求10的结构，进一步包括位于所述栅极与所述N阱之间的栅极氧化物。

15.一种形成半导体结构的方法，所述方法包括：

在绝缘体上硅（SOI）衬底的硅层中形成P阱，所述硅层位于掩埋氧化物层顶上；

在所述P阱中形成N阱；

在所述N阱顶上形成栅极，其中在所述N阱与所述P阱之间产生横向高场区并且在所述栅极与所述N阱之间产生垂直高场区；

同时地，在所述P阱的一部分中形成第一和第二源极区，以及在所述P阱的一部分中和所述N阱的一部分中形成第一和第二漏极区；以及

形成用于所述P阱的第一和第二接触区。

16.根据权利要求15的方法，进一步包括在所述硅层的顶表面上并且基本上围绕所述栅极形成第一和第二升高的源极区。

17.根据权利要求15的方法，其中所述P阱的第一部分位于所述第一源极区与所述掩埋氧化物层之间，并且所述P阱的第二部分位于所述第二源极区与所述掩埋氧化物层之间。

18.根据权利要求15的方法，其中所述栅极在所述P阱以及所述第一和第二源极区之上延伸。

19.根据权利要求15的方法，进一步包括在所述栅极与所述N阱之间的栅极氧化物。

20.根据权利要求15的方法，其中所述第一和第二源极区以及所述第一和第二漏极区是N掺杂的。