[发明专利]荧光体、其制备方法以及发光装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种具有复合氮氧化物的基质晶体且在紫外线至蓝色光的波长区域内被激发而发光的荧光体、其制备方法以及使用该荧光体的发光装置。

背景技术

作为代替以往的具有硫化物类基质的荧光体以及具有氧化物基质的荧光体例如硅酸盐荧光体、磷酸盐荧光体、铝酸盐荧光体，已提出一种公知的化学稳定性高且作为耐热结构材料的、具有氮化物类基质的赛隆荧光体（专利文献1至3）。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2006/093298号小册子

专利文献2：国际公开第2007/037059号小册子

专利文献3：国际公开第2007/105631号小册子

非专利文献

非专利文献1：Acta Crystallographica Section B-Structural Science,vol.65,567-575,Part5(OCT2009)

发明内容

发明所要解决的课题

本发明的目的在于，提供一种比以往荧光体的发光强度更高的荧光体、其制备方法以及使用该荧光体的高亮度的发光装置。

用于解决课题的方法

本发明提供一种荧光体，其用通式：Me_aRe_bSi_cAl_dN_eO_f表示(其中，Me可以以Sr为必需元素且含有选自Na、Li、Mg、Ca、Ba、Sc、Y以及La中的一种以上元素；Re可以以Eu为必需元素且含有选自Mn、Ce、Tb、Yb以及Sm中的一种以上元素)，

当将组成比a、b、c、d、e以及f设为a＝1－x、b＝x、c＝(2+2p)×(1－y)、d＝(2+2p)×y、e＝(1+4p)×(1－z)、f＝(1+4p)×z时，

参数p、x、y以及z为1.620＜p＜1.635、0.005＜x＜0.300、0.200＜y＜0.250、0.070＜z＜0.110。

组成比c、d、e以及f优选为0.250＜d/c＜0.320、0.080＜f/e＜0.200。

Me优选为，仅由Sr组成。

Re优选为，仅由Eu组成。

P优选为1.625。

优选为，上述荧光体被波长300nm以上至500nm以下的光激发，并在波长495nm以上至530nm以下具有发光峰值波长。

上述荧光体是用(Me_1-xRe_xM₂X)_m(M₂X₄)_n表示的晶体结构模型进行描述。在这里，m和n是满足1.620＜n/m＜1.635关系的整数值；Me可以以Sr为必需元素且含有选自Na、Li、Mg、Ca、Ba、Sc、Y以及La中的一种以上元素；Re可以以Eu为必需元素且含有选自Mn、Ce、Tb、Yb以及Sm中的一种以上元素；M是选自Si、Ge、Al以及Ga中的一种以上元素；X是选自氧和氮中的一种以上元素。

从其他观点看，本发明提供一种荧光体的制备方法，所述制备方法用于制备所述荧光体，并且具有：混合原料的混合工序；以及对混合工序后的混合物进行烧成的烧成工序，

原料包括：(1)Me的氮化物、碳化物、氢化物、硅化物、碳酸盐或氧化物中的一种或多种(其中，Me可以以Sr为必需元素且含有选自Na、Li、Mg、Ca、Ba、Sc、Y以及La中的一种以上元素)；

(2)Re的氮化物、氢化物、碳化物、卤化物或氧化物中的一种或多种(其中，Re可以以Eu为必需元素且含有选自Mn、Ce、Tb、Yb以及Sm中的一种以上元素)；

(3)Si氮化物、Si氧化物、Si氮氧化物或Si金属中的一种或多种；

以及(4)Al氮化物、Al氧化物、Al氮氧化物或Al金属中的一种或多种。

优选为，该荧光体的制备方法中的烧成工序是在0.1MPa以上的环境压力下、于1600℃以上至2000℃以下进行烧成的工序。

该荧光体的制备方法优选设置有退火工序，所述退火工序是在1200℃以上至1900℃以下对烧成工序后的荧光体进行退火处理。

优选为，在混合工序的原料中，包含由所述烧成工序所得到的荧光体。

从其他观点看，本发明是具备发光元件和上述荧光体的发光装置，并且荧光体是上述荧光体。