[发明专利]荧光体、其制备方法以及发光装置

权利要求书

1.一种荧光体，其用通式：Me_aRe_bSi_cAl_dN_eO_f表示，Me以Sr为必需元素且可以含有选自Na、Li、Mg、Ca、Ba、Sc、Y以及La中的一种以上元素；Re以Eu为必需元素且可以含有选自Mn、Ce、Tb、Yb以及Sm中的一种以上元素，其中，

当将组成比a、b、c、d、e以及f设为a＝1－x、b＝x、c＝(2+2p)×(1－y)、d＝(2+2p)×y、e＝(1+4p)×(1－z)、f＝(1+4p)×z时，

参数p、x、y以及z为1.610＜p＜1.620、0.005＜x＜0.300、0.190＜y＜0.260、0.060＜z＜0.120。

2.根据权利要求1所述的荧光体，其中，组成比c、d、e以及f为0.230＜d/c＜0.340、0.060＜f/e＜0.200。

3.根据权利要求1所述的荧光体，其中，Me仅由Sr组成。

4.根据权利要求1所述的荧光体，其中，Re仅由Eu组成。

5.根据权利要求1所述的荧光体，其中，p＝1.615。

6.根据权利要求1所述的荧光体，其中，所述荧光体被波长300nm以上至500nm以下的光激发，并在波长495nm以上至530nm以下具有发光峰值波长。

7.根据权利要求1所述的荧光体，其中，所述荧光体是用(Me_1-xRe_xM₂X)_m(M₂X₄)_n表示的晶体结构模型进行描述，m和n是满足1.610＜n/m＜1.620的整数值；Me以Sr为必需元素且可以含有选自Na、Li、Mg、Ca、Ba、Sc、Y以及La中的一种以上元素；Re以Eu为必需元素且可以含有选自Mn、Ce、Tb、Yb以及Sm中的一种以上元素；M是选自Si、Ge、Al以及Ga中的一种以上元素；X是选自氧和氮中的一种以上元素。

8.一种荧光体的制备方法，其用于制备权利要求1所述的荧光体，其中，

所述制备方法具有：混合原料的混合工序；以及对混合工序后的混合物进行烧成的烧成工序，

原料包括：

(1)用Me表示的元素的氮化物、碳化物、氢化物、硅化物、碳酸盐或氧化物中的一种或多种，Me以Sr为必需元素且可以含有选自Na、Li、Mg、Ca、Ba、Sc、Y以及La中的一种以上元素；

(2)用Re表示的元素的氮化物、氢化物、碳化物、卤化物或氧化物中的一种或多种，Re以Eu为必需元素且可以含有选自Mn、Ce、Tb、Yb以及Sm中的一种以上元素；

(3)Si氮化物、Si氧化物、Si氮氧化物或Si金属中的一种或多种；

以及(4)Al氮化物、Al氧化物、Al氮氧化物或Al金属中的一种或多种。

9.根据权利要求8所述的荧光体的制备方法，其中，烧成工序是在0.1MPa以上的环境压力下于1600℃以上至2000℃以下进行烧成的工序。

10.根据权利要求8所述的荧光体的制备方法，其中，所述制备方法具有：在1200℃以上至1900℃以下对烧成工序后的荧光体进行退火处理的退火工序。

11.根据权利要求8所述的荧光体的制备方法，其中，在混合工序的原料中，包含由所述烧成工序所得到的荧光体。

12.一种发光装置，其具备：发光元件和权利要求1至7中任意一项所述的荧光体。

13.根据权利要求12所述的发光装置，其中，所述发光装置还具备：发光峰值波长比权利要求1至7中任意一项所述的荧光体的发光峰值波长更长的一种以上的荧光体。

14.根据权利要求12所述的发光装置，其中，所述发光元件是具有340nm以上至500nm以下的发光的无机发光元件或有机发光元件中的任一种。

15.根据权利要求12所述的发光装置，其中，所述发光装置是液晶TV用背光源、投影仪的光源装置、照明装置或信号装置。