[发明专利]用于有机发光二极管的光提取基材有效
申请号: | 201280008055.6 | 申请日: | 2012-02-03 |
公开(公告)号: | CN103403911B | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | 陆松伟 | 申请(专利权)人: | PPG工业俄亥俄公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/44 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 孙悦 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 有机 发光二极管 提取 基材 | ||
1.光提取基材,包含:
具有第一表面和第二表面的玻璃基材;
在该第一表面上和/或与该第一表面相邻的第一光提取区域,该第一光提取区域包含纳米颗粒;和
在该第二表面的至少一分部上的第二光提取区域,该第二光提取区域的表面粗糙度为至少10nm。
2.权利要求1的基材,其中所述纳米颗粒选自氧化银、氧化铝、二氧化钛、氧化铈、氧化锌、氧化锡、二氧化硅、氧化锆、和它们的组合。
3.权利要求1的基材,其中所述第一表面的平均表面粗糙度为低于100nm。
4.权利要求1的基材,其中所述纳米颗粒以相对于所述第一表面0微米至10微米范围的深度沉积。
5.权利要求1的基材,其中所述第二提取区域包含涂层。
6.权利要求5的基材,其中所述涂层选自二氧化硅、氧化铝、氧化锌、二氧化钛、氧化锆、氧化锡、硅酸盐涂层、和它们的混合物。
7.权利要求1的基材,其中所述第二提取区域的平均表面粗糙度在50纳米-500纳米的范围。
8.权利要求1的基材,其中所述第二提取区域通过纹理化所述第二表面形成。
9.权利要求1的基材,其中所述基材的雾度范围在10%-90%。
10.权利要求1的基材,其中阳极层沉积在所述第一表面上。
11.权利要求10的基材,其中底层涂层堆叠体在所述阳极层之前沉积以增加具有所述阳极层以及具有所述第一和/或第二提取区域的基材的透光率。
12.光提取基材,包含:
具有第一表面和第二表面的玻璃基材;和
以下至少之一:
在该第一表面上和/或与该第一表面相邻的第一光提取区域,该第一光提取区域包含纳米颗粒;和
在该第二表面的至少一分部上的第二光提取区域,该第二光提取区域的表面粗糙度为至少10nm。
13.制造光提取基材的方法,包括以下步骤:
在具有第一表面和第二表面的玻璃基材上,进行以下至少之一:
通过将纳米颗粒沉积在所述第一表面上或到其中而提供在该第一表面上和/或与该第一表面相邻的第一光提取区域;和
在该第二表面的至少一分部上提供第二光提取区域,该第二光提取区域的表面粗糙度为至少10nm。
14.权利要求13的方法,其中所述第一提取区域通过以下方式形成:
加热所述第一表面以降低所述第一表面的粘度;和
引导纳米颗粒至所述第一表面使得所述纳米颗粒结合到所述第一表面中。
15.权利要求13的方法,其中所述纳米颗粒选自氧化银、氧化铝、二氧化钛、氧化铈、氧化锌、氧化锡、二氧化硅、氧化锆、和它们的组合。
16.权利要求13的方法,其中所述第二提取区域通过在所述第二表面的至少一部分上溶胶-凝胶或喷雾热解来施涂涂层而形成。
17.权利要求13的方法,其中所述第二提取区域是选自二氧化硅、氧化铝、氧化锌、二氧化钛、氧化锆、氧化锡、硅酸盐涂层、和它们的混合物的涂层。
18.权利要求13的方法,其中所述第二提取区域通过纹理化所述第二表面形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择