[发明专利]绝缘栅极型半导体装置有效
| 申请号： | 201280008087.6 | 申请日： | 2012-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN103370792A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 八木晴好;矢岛学 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/822;H01L23/52;H01L27/04;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅极 半导体 装置 | ||
1.一种绝缘栅极型半导体装置，其特征在于，包括：
一导电型半导体层；
元件区域，设置于所述一导电型半导体层的表面，并且配置有绝缘栅极型半导体元件的晶体管单元；
栅极焊盘部，设置于该元件区域上，与所述晶体管单元的栅极电极连接；
保护二极管，连接于所述晶体管单元的源极电极与所述栅极电极之间；
栅极引出配线，配置于所述一导电型半导体层的周边部，将所述栅极电极引出到所述一导电型半导体层上并与所述栅极焊盘部连接；
导电体，与该栅极引出配线和所述保护二极管连接；
所述栅极引出配线和所述导电体不弯曲，沿着所述一导电型半导体层的一边设置为一直线状。
2.如权利要求1所述的绝缘栅极型半导体装置，其特征在于，所述保护二极管、所述栅极引出配线和所述导电体邻接配置。
3.如权利要求1或2所述的绝缘栅极型半导体装置，其特征在于，所述保护二极管沿着所述一边配置。
4.如权利要求1至3中任一项所述的绝缘栅极型半导体装置，其特征在于，所述保护二极管配置在最接近所述栅极焊盘部的位置。
5.如权利要求1至4中任一项所述的绝缘栅极型半导体装置，其特征在于，设置有在所述栅极引出配线、所述导电体上延伸并与所述保护二极管的一端连接的第一栅极电极层，该第一栅极电极层的弯曲部在一个以下。
6.如权利要求1至5中任一项所述的绝缘栅极型半导体装置，其特征在于，设置有在所述保护二极管上与所述第一栅极电极层连接的第二栅极电极层，所述栅极焊盘部是所述第二栅极电极层的一部分。
7.如权利要求1至6中任一项所述的绝缘栅极型半导体装置，其特征在于，所述一导电型半导体层是具有短边和长边的矩形形状，所述栅极电极沿着所述长边带状地延伸，所述栅极引出配线沿着所述短边配置。
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