[发明专利]用于制造用于证实分析物的装置的方法以及装置及其应用

权利要求书

1.用于制造用于证实分析物的装置的方法，该方法具有下列步骤：

a）在绝缘衬底（1）上布置具有电极功能的第一导体线路（2），

b）在所述导体线路上布置第一钝化层（3），

c）将所述钝化层限于局部地打开，使得导体线路（2）限于局部地被露出，

d）在开口中将牺牲层（4）布置在所述导体线路上， 

e）在牺牲层上布置电极（5）， 

f）将第二导体线路（6）与第一导体线路（2）正交地布置，其中第二导体线路（6）接触电极（5），

g）将第二钝化层（7）布置在所述电极上以及第二导体线路上，

h）将第二钝化层（7）和电极（5）打开，使得牺牲层（4）被露出，

i）除去牺牲层（4）。

2.根据前一权利要求所述的方法，其特征在于，

选择可蚀刻的牺牲层。

3.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，

步骤c）、d）和e）在唯一的光刻步骤中在使用同一掩模的情况下执行。

4.根据前述权利要求1至2之一所述的方法，其特征在于，

步骤e）和f）在唯一的光刻步骤中在使用同一掩模的情况下执行。

5.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，

第二钝化层和电极的开口以六边形布置的孔（8）实现。

6.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，

在步骤i）中仅仅除去牺牲层（4）。

7.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，

在步骤b）中还对所述衬底进行钝化。

8.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，

在步骤g）中，第二钝化层（7）也布置在第一钝化层（3）上。

9.用于证实分析物的装置，

其中在至少两个彼此正交地延伸的导体线路（2，6）之间的交叉点处布置纳米腔以用于容纳所述导体线路之间的分析物，并且在用于构造纳米腔的缝隙S之上和之下第一导体线路和第二导体线路的两个相对的区域构造用于构造传感器的电极，所述传感器使得能够通过所述分析物在所述电极处的前后相继的氧化和还原来证实分析物。

10.根据前一权利要求所述的装置，其特征在于

由多个彼此正交布置的导体线路形成的多个交叉点，其中在每个交叉点处构造所述电极与所述导体线路之间的纳米腔，并且在相邻纳米腔之间不存在连接。

11.根据前两个权利要求所述的装置，其特征在于，

在100μm²的面积上布置直至6个传感器。

12.根据前三个权利要求所述的装置的应用，其特征在于

将神经传递素证实为分析物。