[发明专利]磁记录用软磁性合金、溅射靶材及磁记录介质有效
申请号: | 201280008677.9 | 申请日: | 2012-02-10 |
公开(公告)号: | CN103380458B | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | 清水悠子 | 申请(专利权)人: | 山阳特殊制钢株式会社 |
主分类号: | G11B5/667 | 分类号: | G11B5/667;C22C45/02;C22C45/04;C23C14/34;G11B5/851 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 蒋亭 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 记录 磁性 合金 溅射 介质 | ||
1.一种磁记录用软磁性合金,是以at.%计包含:
0.5%以上的(A)选自Ta、Nb及V中的元素的1种或2种以上;
0.5%以上的(B)选自Cr、Mo及W中的元素的1种或2种以上;
0~5%的(C)选自Ti、Zr及Hf中的元素的1种或2种以上;
0~30%的(D)选自Ni及Mn中的元素的1种或2种;
0~5%的(E)选自Al及Cu中的元素的1种或2种;
0~10%的(F)选自Si、Ge、P、B及C中的元素的1种或2种以上;剩余部分由Co及Fe以及不可避免的杂质构成的磁记录用软磁性合金,其中,
Fe∶Co的比为10∶90~70∶30,并且(A)组元素、(B)组元素及(C)组元素的总量为所述合金的10~30%。
2.根据权利要求1所述的合金,其中,
所述合金仅由:
0.5%以上的(A)选自Ta、Nb及V中的元素的1种或2种以上;
0.5%以上的(B)选自Cr、Mo及W中的元素的1种或2种以上;
0~5%的(C)选自Ti、Zr及Hf中的元素的1种或2种以上;
0~30%的(D)选自Ni及Mn中的元素的1种或2种;
0~5%的(E)选自Al及Cu中的元素的1种或2种;
0~10%的(F)选自Si、Ge、P、B及C中的元素的1种或2种以上;以及
剩余部分的Co及Fe以及不可避免的杂质构成。
3.根据权利要求1或2所述的合金,其包含:
大于0%且为30%以下的(D)组元素的1种或2种;
大于0%且为5%以下的(E)组元素的1种或2种;
大于0%且为10%以下的(F)组元素的1种或2种以上。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的合金,其包含2~20%的(A)组元素的1种或2种以上。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的合金,其包含1~20%的(B)组元素的1种或2种以上。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的合金,其包含2~4%的(C)组元素的1种或2种以上。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的合金,其包含大于0%且为10%以下的(D)组元素的1种或2种。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的合金,其包含1~4%的(E)组元素的1种或2种。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的合金,其包含1~8%的(F)组元素的1种或2种以上。
10.一种溅射靶材,其由权利要求1~9中任一项所述的合金构成。
11.一种磁记录介质,其具备由权利要求1~9中任一项所述的合金构成的软磁性层。
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