[发明专利]具有共享泵的真空腔室有效
申请号: | 201280008689.1 | 申请日: | 2012-02-29 |
公开(公告)号: | CN103370768B | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | A·帕尔;M·J·萨里纳斯;J·A·里;P·B·路透;I·优素福 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 徐伟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 共享 空腔 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求提交于2011年3月1日的美国临时专利申请序列号61/448,024的权益。
背景
领域
本揭示案的实施例大体关于具有不同泵送要求的真空腔室,这些真空腔室经由单个前级真空管线耦接至泵送系统。
相关技术描述
在诸如用于制造集成电路、平板显示器,及磁性介质等其它对象的工具的真空处理工具中,经由使用真空泵维持真空处理工具的腔室的真空环境。由于作业于各个真空处理腔室的过程具有不同压力及/或泵送要求,所以每一真空处理腔室典型地具有专用真空泵。因此,真空泵传统地只共享于具有相同泵送要求的真空腔室之间,因为不能精密满足不同环境的独特泵送要求。每一真空腔室的专用泵的需求增加系统的总成本,以及硬件成本及与多个泵的额外空间要求相关联的成本。
因此,需要经改良处理系统,该经改良处理系统具有以单个真空泵伺服具有不同泵送要求的真空处理区域的能力。
概要
本揭示案大体关于用于处理基板的真空腔室。这些真空腔室包括:第一基板腔室,该第一基板腔室隔离于第二基板腔室;真空泵;及高传导前级真空管线,该高传导前级真空管线耦接至泵。高传导泵送管道耦接前级真空管线至第一基板腔室且低传导泵送管道耦接前级真空管线至第二基板腔室。选择每一管道的传导性以允许使用耦接至单个前级真空管线的单个泵(或多个泵)使每一腔室的不同泵送需求得到满足。
本揭示案的另一实施例提供腔室主体,该腔室主体具有第一及第二基板移送室。第一基板移送室隔离于第二基板移送室。基板移送室进一步包括真空泵及高传导前级真空管线,该高传导前级真空管线耦接至泵。高传导泵送管道耦接前级真空管线至第一基板移送室,且低传导泵送管道耦接前级真空管线至第二基板移送室。
本揭示案的另一实施例提供一系统,该系统具有:第一腔室主体及第二腔室主体,该第一腔室主体具有隔离于第二个第一基板移送室的第一基板移送室,该第二腔室主体具有隔离于第四个第一基板移送室的第三基板移送室。该系统还包括:真空泵;高传导前级真空管线,该高传导前级真空管线耦接至泵;第一高传导泵送管道,该第一高传导泵送管道耦接高传导前级真空管线至第一基板移送室;及第二高传导泵送管道,该第二高传导泵送管道耦接高传导前级真空管线至第三基板移送室。该系统进一步包括:低传导前级真空管线,该低传导前级真空管线耦接至高传导前级真空管线;第一低传导泵送管道,该第一低传导泵送管道耦接低传导前级真空管线至第二基板移送室;及第二低传导泵送管道,该第二低传导泵送管道耦接低传导前级真空管线至第四基板移送室。
附图简述
为能详尽理解以上所述本揭示案的特征结构,可参考实施例更具体的描述上文简单概括的本揭示案,其中一些实施例图示于附加图式中。然而,应注意附加图式仅图示出本揭示案的典型实施例,且因为本揭示案可允许其它同等有效的实施例,所以这些图示不欲视为本揭示案的范畴之限制。
图1为根据本揭示案的一个实施例的真空腔室的前剖视图。
图2为图1的真空腔室的剖面示意图。
图3为图1的真空腔室的另一剖面俯视图。
图4为根据本揭示案的实施例的具有泵系统的真空腔室的示意图。
图5为图4的泵系统的替代实施例的局部示意图。
图6为具有多个真空腔室及一个泵系统的一个实施例的前示意图。
图7为具有多个真空腔室及一个泵系统的替代实施例的前示意图。
为了促进了解,尽可能使用相同的组件符号来表示图式中相同的组件。考虑到一个实施例中的组件及特征结构,可有利地并入在其它的实施例中而无需进一步描述。
详细描述
本揭示案提供基板真空处理系统,该基板真空处理系统包括多个互相隔离的基板腔室。基板腔室各自藉由泵送管道耦接至真空泵,这些泵送管道被配置成具有经选择的传导性比,使得基板腔室可共享公共的真空泵。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280008689.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:晶片级分割的方法和系统
- 下一篇:自供电继电器中的DIP开关变化检测
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造