[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

基板；

半导体层（1,2,101,102），形成在所述基板上并包括有源区域；

开关元件（S1,S2,S101），具有在所述半导体层（1,2,101,102）的所述有源区域上形成的栅极电极（13,113）、源极电极（11,111）及漏极电极（12,112）；

漏极电极焊盘（31,131），与所述漏极电极（12,112）连接，具有在所述半导体层（1,2,101,102）的所述有源区域以外的区域上隔着绝缘膜（30,130）形成的可焊接区域；

栅极电极延伸部（14,114,115,116），形成在所述半导体层（1,2,101,102）上并且至少形成在所述源极电极（11,111）与所述漏极电极焊盘（31,131）的可焊接区域之间，与所述栅极电极（13,113）连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体层（1,2,101,102）包括在所述基板上依次层积的第一半导体层（1,101）及与该第一半导体层（1,101）形成异质界面的第二半导体层（2,102）；

所述开关元件（S1,S2,S101）是利用在所述第一半导体层（1,101）与所述第二半导体层（2,102）的异质界面形成的二维电子气体的异质结场效应晶体管。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

形成所述二维电子气体的所述第一半导体层（1,101）与所述第二半导体层（2,102）的异质界面形成在至少除了所述漏极电极焊盘（31,131）的可焊接区域下侧区域以外的所述基板上的区域。

4.如权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，

贯穿所述第二半导体层（2,102）的上侧的一部分或者贯穿所述第二半导体层（2,102）在所述第一半导体层（1,101）的上侧的一部分形成有凹部（200,300）；

在所述凹部（200,300）埋入有所述栅极电极（13,113）的至少一部分。

5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

包括连接电极（50,150），该连接电极（50,150）形成在所述漏极电极焊盘（31,131）的可焊接区域的下侧并且至少与所述栅极电极延伸部（14,114,115,116）相对的区域，该连接电极（50,150）贯穿所述绝缘膜（30,130）连接所述漏极电极焊盘（31,131）的可焊接区域与所述半导体层（1,2,101,102）。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

包括元件分离区域（60,160），该元件分离区域（60,160）形成在所述栅极电极延伸部（14,114,115,116）和与该栅极电极延伸部（14,114,115,116）邻接的所述源极电极（11,111）之间的所述半导体层（1,2,101,102）的区域。

7.如如权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述栅极电极延伸部（14,114,115,116）以包围所述漏极电极焊盘（31,131）的可焊接区域的方式形成在所述半导体层（1,2,101,102）上。

8.如权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述源极电极（11,111）具有彼此隔开间隔且大致平行地排列配置的多个梳子状源极电极部（11a～11d,111a～111d），

所述漏极电极（12,112）具有多个梳子状漏极电极部（12a,12b,12c,112a,112b,112c），多个所述梳子状漏极电极部（12a,12b,12c,112a,112b,112c）与多个所述源极电极（11,111）的梳子状源极电极部（11a～11d,111a～111d）彼此隔开间隔地交替排列配置。

9.如权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述开关元件（S1,S2）为多个，

多个所述开关元件（S1,S2）的所述漏极电极（12）经由同一个所述漏极电极焊盘（31）连接。