[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201280008906.7 申请日: 2012-03-30
公开(公告)号: CN103370788B 公开(公告)日: 2016-10-12
发明(设计)人: 望月英司;传田俊男;山田忠则 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L25/18
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 金玉兰;金光军
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,包含:

用于安装多个功率半导体器件和控制该功率半导体器件的控制用集成电路的绝缘电路基板;

一端构成外部端子,另一端构成连接于半导体芯片的内部端子的引线框架;

保持所述引线框架的所述内部端子侧的端子盒,

在所述端子盒中收容所述绝缘电路基板和所述引线框架的所述内部端子侧,并用树脂密封了所述端子盒内部,

所述半导体装置在所述端子盒中形成树脂填充部,以包括所述绝缘电路基板的与所述引线框架连接的面而进行树脂密封,

将所述引线框架朝向所述树脂填充部的内侧面弯曲成L字形状,

在所述端子盒内与所述绝缘电路基板和所述引线框架的连接位置无关,使所述外部端子的引出位置保持不变。

2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述端子盒的树脂填充部的内侧面形成L字形状,所述引线框架沿着该L字形状的内侧面弯曲。

3.如权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,在所述端子盒的树脂填充部的内侧面上与所述引线框架的引出位置相对应地形成有多个沟槽,与连接于所述引线框架的所述外部端子的所述绝缘电路基板相垂直的部分嵌合在所述沟槽部。

4.如权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置,其特征在于,所述弯曲为L字形状的引线框架相对于所述绝缘电路基板垂直,且与将所述绝缘电路基板的外周端部投影到上方的位置相比,连接于所述外部端子的部分位于外侧。

5.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,将多个功率半导体器件和控制该功率半导体器件的控制用集成电路安装在绝缘电路基板上,将该绝缘电路基板和连接于该绝缘电路基板的引线框架的内部端子侧一同收容于端子盒中,并对该端子盒内进行树脂密封,

所述端子盒包括安装所述绝缘电路基板的基板收容部、填充树脂的树脂填充部、以及连通所述基板收容部和所述树脂填充部的贯穿孔,

所述半导体装置的制造方法,包含:

在所述绝缘电路基板上焊接所述功率半导体器件、所述控制用集成电路和引线框架形成体的工序;

在所述贯穿孔的内侧,将所述引线框架弯曲成垂直于所述绝缘电路基板的主表面的一次弯曲工序;

在所述端子盒上安装所述绝缘电路基板的工序;

沿着所述端子盒的所述树脂填充部的内侧面弯曲的二次弯曲工序;以及

在所述树脂填充部填充密封树脂的工序。

6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,所述二次弯曲工序包括:将在所述一次弯曲工序中垂直竖起的所述引线框架向外侧弯曲而展开的工序;将形成在所述端子盒的所述树脂填充部的内侧面的L字形状的台阶作为下模,将上模压在所述引线框架上,再沿着所述端子盒的所述L字形状的台阶弯曲该引线框架的工程。

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