[发明专利]发光元件有效
| 申请号： | 201280009003.0 | 申请日： | 2012-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN103380509B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 下垣智子;濑尾哲史;大泽信晴;井上英子;高桥正弘;铃木邦彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;C09K11/06;C07F15/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 胡嘉倩 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 元件 | ||
1.一种发光元件，包括：
一对电极；以及
所述一对电极之间的包含客体材料及主体材料的发光层，
其中，所述主体材料的发射光谱与所述客体材料的吸收光谱重叠，
并且，通过将所述主体材料的激发能量转换为所述客体材料的激发能量，发射磷光。
2.一种发光元件，包括：
一对电极；以及
所述一对电极之间的包含客体材料及主体材料的发光层，
其中，所述主体材料的发射光谱与所述客体材料的吸收光谱中的最长波长一侧的吸收带重叠，
并且，通过将所述主体材料的激发能量转换为所述客体材料的激发能量，发射磷光。
3.根据权利要求2所述的发光元件，其中，所述吸收带包含基于三重态MLCT跃迁的吸收。
4.根据权利要求1或权利要求2所述的发光元件，其中，所述发射光谱是荧光光谱。
5.根据权利要求1或权利要求2所述的发光元件，其中，所述客体材料是有机金属配合物。
6.根据权利要求5所述的发光元件，其中，所述客体材料是铱配合物。
7.根据权利要求1或权利要求2所述的发光元件，其中，所述发射光谱的峰值的能值与所述吸收光谱中的最低能量一侧的吸收带的峰值的能值之间的差异为0.3eV或更小。
8.根据权利要求2所述的发光元件，其中，所述吸收光谱中的最长波长一侧的吸收带的摩尔吸光系数为5000M-1·cm-1或更高。
9.一种包括根据权利要求1或权利要求2所述的发光元件的电子设备。
10.一种包括根据权利要求1或权利要求2所述的发光元件的照明装置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
