[发明专利]支承衬底和用于制造半导体芯片的方法

权利要求书

1.一种用于半导体层序列的支承衬底（10），该支承衬底（10）具有第一主面（11）和与第一主面对置的第二主面（12），其中在第一主面（11）与第二主面（12）之间构造有二极管结构（2），该二极管结构（2）使第一主面（11）与第二主面（12）至少针对电压的一个极性电绝缘。

2.根据权利要求1所述的支承衬底，

其中，二极管结构使第一主面与第二主面针对两个极性电绝缘。

3.根据权利要求1或2所述的支承衬底，

其中，二极管结构具有第一二极管（24）和第二二极管（25），其中第一二极管和第二二极管关于所述二极管的导通方向彼此相反地被取向。

4.根据权利要求1至3之一所述的支承衬底，

其中，支承衬底包含半导体材料。

5.根据权利要求1至4之一所述的支承衬底， 

其中，二极管结构借助一层一层地掺杂支承衬底来形成。

6.根据权利要求1至5之一所述的支承衬底，

其中，二极管结构具有至少三个相继的层（21，22，23），所述至少三个相继的层（21，22，23）关于所述层的导通类型交替地被构造。

7.一种半导体芯片（3），其具有带有半导体层序列的半导体本体（4）和带有第一主面（11）以及与第一主面对置的第二主面（12）的支承体（1），其中半导体本体被布置在支承体的第一主面上而在第一主面与第二主面之间构造有二极管结构（2），所述二极管结构（2）使第一主面与第二主面至少针对电压的一个极性电绝缘。

8.根据权利要求7所述的半导体芯片，

其中，支承体材料配合地与半导体层序列连接。

9.根据权利要求7或8所述的半导体芯片，

其中，支承体的侧面被配备有钝化层（8）。

10.一种用于制造多个半导体芯片（3）的方法，其具有如下步骤：

a）提供带有第一主面（11）和与第一主面对置的第二主面（12）的支承衬底（10）；

b）在第一主面与第二主面之间构造二极管结构（2），其中该二极管结构使第一主面与第二主面至少针对电压的一个极性电绝缘，

c）将半导体层序列（400）布置在支承衬底的第一主面上；以及

d）将带有半导体层序列的支承衬底分割成多个半导体芯片。

11.根据权利要求10所述的方法，

其中，步骤b）在步骤d）之前被执行。

12.根据权利要求10所述的方法，

其中，步骤b）在步骤d）之后被执行。

13.根据权利要求10至12之一所述的方法，

其中，二极管结构借助整面地掺杂支承衬底来构造。

14.根据权利要求10至13之一所述的方法， 

其中，半导体层序列被沉积在生长衬底上，并且生长衬底在步骤c）之后被去除。

15.根据权利要求10至13之一所述的方法， 

其中，半导体层序列在步骤b）中外延地被沉积在支承衬底上。