[发明专利]远程激发氟与水蒸气的蚀刻方法

权利要求书

1.一种在衬底处理腔室的衬底处理区域中蚀刻图案化衬底的方法，其中所述图案化衬底具有暴露的氧化硅区域，所述方法包含：

将含氟前驱物流进远程等离子体区域，同时在所述远程等离子体区域中形成远程等离子体以产生等离子体流出物，所述远程等离子体区域以流体连通式耦接所述衬底处理区域；

将水蒸气流进所述衬底处理区域而不先使所述水蒸气穿过所述远程等离子体区域；以及

通过使这些等离子体流出物流进所述衬底处理区域而蚀刻所述暴露的氧化硅区域。

2.如权利要求1所述的方法，其中在蚀刻所述暴露的氧化硅区域的操作之前，所述暴露的氧化硅区域环绕导电柱，所述导电柱包含导电材料。

3.如权利要求2所述的方法，其中在蚀刻所述暴露的氧化硅区域的所述操作之后，所述导电柱不因为所述暴露的氧化硅区域的移除而导致实质上往外弯曲。

4.如权利要求2所述的方法，其中所述导电材料包含钛。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述导电材料包含氮化钛。

6.如权利要求2所述的方法，其中所述导电柱是圆柱状的。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述导电柱的直径低于70nm或约为70nm。

8.如权利要求1所述的方法，其中将水蒸气流进所述衬底处理区域的操作进一步包括：将醇类物流进所述衬底处理区域，亦不先将所述醇类物穿过所述远程等离子体区域。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述衬底处理区域是无等离子体的。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述水蒸气不被在所述衬底处理区域外形成的任何远程等离子体激发。

11.如权利要求8所述的方法，其中所述醇类物不被在所述衬底处理区域外形成的任何远程等离子体激发。

12.如权利要求8所述的方法，其中所述醇类物选自由甲醇、乙醇与异丙醇所构成的组。

13.如权利要求1所述的方法，其中所述含氟前驱物包含前驱物，所述前驱物选自由原子氟、双原子氟、三氟化氮、四氟化碳、氟化氢与二氟化氙所构成的组。

14.如权利要求1所述的方法，其中所述含氟前驱物与这些等离子体流出物基本上缺乏氢。