[发明专利]没有变抗器的可调谐振荡器

权利要求书

1.一种可调谐振荡器电路，包括：

电感器/电容器（LC）储能电路，所述LC储能电路包括与第一电容器组并联地耦合的初级电感器，其中所述LC储能电路谐振以便按一频率产生振荡电压；

耦合到所述LC储能电路和跨导体的90度相移缓冲器；

所述跨导体耦合到所述90度相移缓冲器和次级电感器；以及

电感地耦合到所述初级电感器并从所述跨导体接收经增益缩放的振荡电流的次级电感器。

2.如权利要求1所述的可调谐振荡器电路，其特征在于，所述90度相移缓冲器将所述振荡电压相移90度。

3.如权利要求2所述的可调谐振荡器电路，其特征在于，所述跨导体将经相移的振荡电压转换成所述经增益缩放的振荡电流。

4.如权利要求1所述的可调谐振荡器电路，其特征在于，所述跨导体是金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。

5.如权利要求4所述的可调谐振荡器电路，其特征在于，所述金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在源极节点或漏极节点处接收调谐电流，所述调谐电流改变被传递至所述次级电感器的所述经增益缩放的振荡电流、所述初级电感器的有效电感和所述振荡电压的频率。

6.如权利要求4所述的可调谐振荡器电路，其特征在于，所述金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在栅极节点处接收调谐电压，所述调谐电压改变被传递至所述次级电感器的所述经增益缩放的振荡电流、所述初级电感器的有效电感和所述振荡电压的频率。

7.如权利要求2所述的可调谐振荡器电路，其特征在于，所述90度相移缓冲器包括：

电容器，其中所述电容器的第一节点耦合到所述电感器/电容器（LC）储能电路，而所述电容器的第二节点耦合到电阻器的第一节点；

具有耦合成接地的源极节点的n型金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOSFET）；

具有耦合到参考电压（Vdd）的源极节点的p型金属氧化物半导体场效应晶体管（PMOSFET），其中所述NMOSFET和所述PMOSFET的栅极耦合到所述电容器的所述第二节点和所述电阻器的所述第一节点；以及

具有第一节点的分流电容器组，所述分流电容器组的所述第一节点耦合到所述电阻器的第二节点、所述跨导体以及所述NMOSFET和所述PMOSFET的漏极，其中所述分流电容器组的第二节点耦合成开关接地。

8.如权利要求7所述的可调谐振荡器电路，其特征在于，所述分流电容器组能被编程为在所述可调谐振荡器电路的操作期间基于工艺或温度来创建不同的电容。

9.一种用于电感地调谐振荡器的集成电路，包括：

电感器/电容器（LC）储能电路，所述LC储能电路包括与第一电容器组并联地耦合的初级电感器，其中所述LC储能电路谐振以便按一频率产生振荡电压；

耦合到所述LC储能电路和跨导体的90度相移缓冲器；

所述跨导体耦合到所述90度相移缓冲器和次级电感器；以及

电感地耦合到所述初级电感器并从所述跨导体接收经增益缩放的振荡电流的次级电感器。

10.如权利要求9所述的集成电路，其特征在于，所述90度相移缓冲器将所述振荡电压相移90度。

11.如权利要求10所述的集成电路，其特征在于，所述跨导体将经相移的振荡电压转换成所述经增益缩放的振荡电流。

12.如权利要求9所述的集成电路，其特征在于，所述跨导体是金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。

13.如权利要求12所述的集成电路，其特征在于，所述金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在源极节点或漏极节点处接收调谐电流，所述调谐电流改变被传递至所述次级电感器的所述经增益缩放的振荡电流、所述初级电感器的有效电感和所述振荡电压的频率。

14.如权利要求12所述的集成电路，其特征在于，所述金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在栅极节点处接收调谐电压，所述调谐电压改变被传递至所述次级电感器的所述经增益缩放的振荡电流、所述初级电感器的有效电感和所述振荡电压的频率。