[发明专利]有机分子存储器有效
申请号: | 201280009970.7 | 申请日: | 2012-03-21 |
公开(公告)号: | CN103403905A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 西沢秀之;服部繁树;寺井胜哉;御子柴智;浅川钢儿;多田宰 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05;H01L27/28;H01L45/00;H01L49/00;H01L51/30 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 唐秀玲;林柏楠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 分子 存储器 | ||
1.有机分子存储器,其包含:
第一导电层;
第二导电层;和
置于第一导电层与第二导电层之间的有机分子层,其中有机分子层包含具有吸电子取代基的电阻变化型分子链。
2.根据权利要求1的存储器,其中有机分子层的相对电容率为5.5或更高。
3.根据权利要求1的存储器,其中吸电子取代基为氟原子、氯原子或氰基。
4.根据权利要求1的存储器,其中吸电子取代基为氟原子。
5.根据权利要求1的存储器,其中:
第一导电层和第二导电层为彼此交叉的电极布线,且
有机分子层位于第一导电层与第二导电层之间的交叉部分。
6.有机分子存储器,其包含:
第一导电层;
第二导电层;和
置于第一导电层与第二导电层之间的有机分子层,其中有机分子层包含第一有机分子和第二有机分子,第一有机分子具有电阻变化型分子链,第二有机分子具有吸电子取代基。
7.根据权利要求6的存储器,其中有机分子层的相对电容率为5.5或更高。
8.根据权利要求6的存储器,其中吸电子取代基为氟原子、氯原子或氰基。
9.根据权利要求6的存储器,其中吸电子取代基为氟原子。
10.根据权利要求6的存储器,其中第二有机分子包含氟烷基。
11.根据权利要求6的存储器,其中第二有机分子为偏二氟乙烯衍生物。
12.根据权利要求6的存储器,其中:
第一导电层与第二导电层为彼此交叉的电极布线,且
有机分子层位于第一导电层与第二导电层之间的交叉部分。
13.有机分子存储器,其包含:
半导体层;
在半导体层上方形成的有机分子层,其中有机分子层包含具有电荷储存分子链的第一有机分子,其中电荷储存分子链具有吸电子基团;
在有机层上方形成的绝缘层;和
在绝缘层上方形成的栅极电极。
14.根据权利要求13的存储器,其中有机分子层包含具有电荷储存分子链的第二有机分子,其中电荷储存分子链不具有吸电子基团。
15.根据权利要求14的存储器,其中第一有机分子的电荷储存分子链和第二有机分子的电荷储存分子链具有相同的碳骨架。
16.根据权利要求13的存储器,其中有机分子层的相对电容率为5.5或更高。
17.根据权利要求13的存储器,其中吸电子基团为氟原子、氯原子或氰基。
18.根据权利要求13的存储器,其中吸电子基团为氟原子。
19.根据权利要求13的存储器,其中第一有机分子的电荷储存分子链为锌卟啉的衍生物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择