[发明专利]有机分子存储器有效

专利信息
申请号: 201280009970.7 申请日: 2012-03-21
公开(公告)号: CN103403905A 公开(公告)日: 2013-11-20
发明(设计)人: 西沢秀之;服部繁树;寺井胜哉;御子柴智;浅川钢儿;多田宰 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05;H01L27/28;H01L45/00;H01L49/00;H01L51/30
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 唐秀玲;林柏楠
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 有机 分子 存储器
【权利要求书】:

1.有机分子存储器,其包含:

第一导电层;

第二导电层;和

置于第一导电层与第二导电层之间的有机分子层,其中有机分子层包含具有吸电子取代基的电阻变化型分子链。

2.根据权利要求1的存储器,其中有机分子层的相对电容率为5.5或更高。

3.根据权利要求1的存储器,其中吸电子取代基为氟原子、氯原子或氰基。

4.根据权利要求1的存储器,其中吸电子取代基为氟原子。

5.根据权利要求1的存储器,其中:

第一导电层和第二导电层为彼此交叉的电极布线,且

有机分子层位于第一导电层与第二导电层之间的交叉部分。

6.有机分子存储器,其包含:

第一导电层;

第二导电层;和

置于第一导电层与第二导电层之间的有机分子层,其中有机分子层包含第一有机分子和第二有机分子,第一有机分子具有电阻变化型分子链,第二有机分子具有吸电子取代基。

7.根据权利要求6的存储器,其中有机分子层的相对电容率为5.5或更高。

8.根据权利要求6的存储器,其中吸电子取代基为氟原子、氯原子或氰基。

9.根据权利要求6的存储器,其中吸电子取代基为氟原子。

10.根据权利要求6的存储器,其中第二有机分子包含氟烷基。

11.根据权利要求6的存储器,其中第二有机分子为偏二氟乙烯衍生物。

12.根据权利要求6的存储器,其中:

第一导电层与第二导电层为彼此交叉的电极布线,且

有机分子层位于第一导电层与第二导电层之间的交叉部分。

13.有机分子存储器,其包含:

半导体层;

在半导体层上方形成的有机分子层,其中有机分子层包含具有电荷储存分子链的第一有机分子,其中电荷储存分子链具有吸电子基团;

在有机层上方形成的绝缘层;和

在绝缘层上方形成的栅极电极。

14.根据权利要求13的存储器,其中有机分子层包含具有电荷储存分子链的第二有机分子,其中电荷储存分子链不具有吸电子基团。

15.根据权利要求14的存储器,其中第一有机分子的电荷储存分子链和第二有机分子的电荷储存分子链具有相同的碳骨架。

16.根据权利要求13的存储器,其中有机分子层的相对电容率为5.5或更高。

17.根据权利要求13的存储器,其中吸电子基团为氟原子、氯原子或氰基。

18.根据权利要求13的存储器,其中吸电子基团为氟原子。

19.根据权利要求13的存储器,其中第一有机分子的电荷储存分子链为锌卟啉的衍生物。

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