[发明专利]电荷存储设备、系统及方法

说明书

优先权申请

本专利申请案主张2011年2月25日提出申请的第13/035,700号美国申请案的优先权权益，所述美国申请案以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

背景技术

非易失性半导体存储器(NVSM)广泛地用于许多电子装置(例如，个人数字助理(PDA)、膝上型计算机、移动电话及数码相机)中。这些存储器中的一些存储器具有电荷存储晶体管(例如，浮动栅极晶体管)阵列。

发明内容

本发明的一个方面涉及一种方法，其包括：在半导体材料层及电介质层中形成开口；处理所述半导体材料层的通过所述开口暴露的一部分，使得以不同于所述层中的剩余半导体材料的方式掺杂所述部分；移除所述层的至少实质上所有所述剩余半导体材料，其中所述半导体材料层的所述以不同方式掺杂的部分包括电荷存储结构；在所述电荷存储结构的第一表面上形成隧穿电介质；及在所述电荷存储结构的第二表面上形成栅极间电介质。

本发明的另一方面涉及一种方法，其包括：形成多个电荷存储结构，其中每一电荷存储结构至少部分地环绕半导体构造中的垂直开口，且其中每一电荷存储结构通过第一电介质与邻近电荷存储结构分离；在所述开口中在每一电荷存储结构上形成第二电介质；在所述垂直开口中的所述第二电介质上形成硅，其中所述第二电介质将所述电荷存储结构与所述硅分离；及在每一电荷存储结构上形成第三电介质。

本发明的又一方面涉及一种方法，其包括：在半导体构造中形成开口，所述半导体构造包括未掺杂的多晶硅与电介质的交替层；将掺杂剂添加到所述未掺杂的多晶硅层的至少部分地环绕所述开口的相应部分；移除所述层的至少实质上所有剩余未掺杂的多晶硅；及在所述经掺杂的多晶硅部分中的每一者的相对表面上形成电介质。

本发明的又一方面涉及一种设备，其包括：硅膜；第一电荷存储结构，其在第一位置处至少部分地环绕所述硅膜；第二电荷存储结构，其在第二位置处至少部分地环绕所述硅膜；及电介质，其在所述第一电荷存储结构与所述硅膜之间且在所述第二电荷存储结构与所述硅膜之间。

本发明的又一方面涉及一种设备，其包括：硅膜，其延伸穿过一对第一电介质中的开口；多晶硅栅极，其在所述对第一电介质之间至少部分地环绕所述硅膜；第二电介质，其在所述多晶硅栅极与所述硅膜之间；及第三电介质，其在所述多晶硅栅极与控制栅极之间。

附图说明

在附图的各图中以实例而非限制的方式图解说明一些实施例，附图中：

图1是根据本发明的各种实施例的半导体构造的三维视图；

图2是根据本发明的各种实施例的半导体构造的三维视图；

图3是根据本发明的各种实施例的半导体构造的三维视图；

图4是根据本发明的各种实施例的半导体构造的三维视图；

图5是根据本发明的各种实施例的半导体构造的三维视图；

图6是根据本发明的各种实施例的半导体构造的三维视图；

图7是根据本发明的各种实施例的半导体构造的三维视图；

图8是根据本发明的各种实施例的半导体构造的三维视图；

图9是根据本发明的各种实施例的半导体构造的三维视图；

图10是根据本发明的各种实施例的半导体构造的三维视图；

图11是根据本发明的各种实施例的半导体构造的三维视图；

图12是根据本发明的各种实施例的半导体构造的三维视图；

图13是根据本发明的各种实施例的半导体构造的三维视图；

图14是根据本发明的各种实施例的半导体构造的三维视图；

图15是根据本发明的各种实施例的半导体构造的三维视图；

图16是根据本发明的各种实施例的半导体构造的三维视图；

图17是根据本发明的各种实施例的半导体构造的三维视图；

图18是根据本发明的各种实施例的半导体构造的三维视图；

图19是根据本发明的各种实施例的半导体构造的三维视图；

图20是根据本发明的各种实施例的方法的流程图；且

图21是图解说明根据本发明的各种实施例的系统的图示。

具体实施方式

根据本发明的各种实施例的电荷存储装置阵列可用作存储器装置(例如，“与非”(NAND)存储器装置)中的存储器单元阵列。